Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
VS-MBRB4045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB4045CTPBF

ნაწილი საფონდო: 22913

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-115CNQ015ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-115CNQ015ASMPBF

ნაწილი საფონდო: 10483

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 55A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 460mV @ 110A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURD620CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MURD620CTTRR

ნაწილი საფონდო: 5470

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-40CTQ045-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045-1PBF

ნაწილი საფონდო: 57477

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HFA100MD60C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA100MD60C

ნაწილი საფონდო: 4374

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 83A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HFA60MB60C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA60MB60C

ნაწილი საფონდო: 3669

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKD166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD166/12

ნაწილი საფონდო: 3588

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 165A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-88CNQ060APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-88CNQ060APBF

ნაწილი საფონდო: 3776

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBR2090CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2090CTPBF

ნაწილი საფონდო: 3694

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBR3045WTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR3045WTPBF

ნაწილი საფონდო: 60479

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 760mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEP16CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16CT/45

ნაწილი საფონდო: 3537

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-80CNQ035ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CNQ035ASLPBF

ნაწილი საფონდო: 11583

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSKD270-16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD270-16

ნაწილი საფონდო: 3607

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 270A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKJ71/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ71/14A

ნაწილი საფონდო: 3556

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURB2020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MURB2020CT

ნაწილი საფონდო: 3678

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HFA70NC60CSL
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA70NC60CSL

ნაწილი საფონდო: 3629

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 56A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-80CPQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CPQ150PBF

ნაწილი საფონდო: 9992

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 860mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB3045CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3045CTTRL

ნაწილი საფონდო: 3635

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MURB1020CT-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1020CT-1PBF

ნაწილი საფონდო: 91688

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURB1020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MURB1020CTTRR

ნაწილი საფონდო: 3679

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HFA80NC40CSM
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA80NC40CSM

ნაწილი საფონდო: 3574

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 85A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB1535CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1535CT

ნაწილი საფონდო: 3652

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSKJ320-20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKJ320-20

ნაწილი საფონდო: 3605

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 2000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 320A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-80CNQ035ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CNQ035ASMPBF

ნაწილი საფონდო: 11510

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-110CNQ045ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110CNQ045ASMPBF

ნაწილი საფონდო: 10251

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 110A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 110A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBR1535CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR1535CTPBF

ნაწილი საფონდო: 94715

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30CTH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTH03PBF

ნაწილი საფონდო: 44739

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKD71/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD71/04A

ნაწილი საფონდო: 3568

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-83CNQ080ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-83CNQ080ASLPBF

ნაწილი საფონდო: 11296

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HFA80NK40C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA80NK40C

ნაწილი საფონდო: 3615

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 89A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSKD320-04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD320-04

ნაწილი საფონდო: 3623

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 320A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MUR1620CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR1620CT

ნაწილი საფონდო: 3576

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-40L40CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L40CWPBF

ნაწილი საფონდო: 29726

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GSD2004C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-HE3-08

ნაწილი საფონდო: 109437

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 240V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 225mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR2035CT-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2035CT-1

ნაწილი საფონდო: 3639

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-40L15CTSPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L15CTSPBF

ნაწილი საფონდო: 16346

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 410mV @ 19A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი