დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 97

IRKJ236/12

ნაწილი საფონდო: 3598

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 230A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD196/12

ნაწილი საფონდო: 3611

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 195A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ56/10A

ნაწილი საფონდო: 3569

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4C-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 185239

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRD650CTTRL

ნაწილი საფონდო: 3731

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2545CT/45

ნაწილი საფონდო: 3731

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81CNQ045ASMPBF

ნაწილი საფონდო: 11452

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ71/06A

ნაწილი საფონდო: 3588

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC236/16

ნაწილი საფონდო: 3618

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 230A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR10H150CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 100256

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2045CT-1

ნაწილი საფონდო: 3661

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKDL240-20S30

ნაწილი საფონდო: 3624

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 2000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 240A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.75V @ 800A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD236/08

ნაწილი საფონდო: 3568

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 230A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD320-12

ნაწილი საფონდო: 3643

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 320A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ166/04

ნაწილი საფონდო: 3610

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 165A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTU04PBF

ნაწილი საფონდო: 44177

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD250-12

ნაწილი საფონდო: 3651

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD320-08

ნაწილი საფონდო: 3602

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 320A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MURB1020CTTRL

ნაწილი საფონდო: 3708

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ035PBF

ნაწილი საფონდო: 69742

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA16PA120C

ნაწილი საფონდო: 3655

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.3V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ140PBF

ნაწილი საფონდო: 17511

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 140V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPU04PBF

ნაწილი საფონდო: 28589

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ71/16A

ნაწილი საფონდო: 3655

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2045CTPBF

ნაწილი საფონდო: 27906

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30D202C-M3/I

ნაწილი საფონდო: 34654

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD71/12A

ნაწილი საფონდო: 3604

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR3035WTPBF

ნაწილი საფონდო: 54244

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 760mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKCL240-14S20

ნაწილი საფონდო: 3587

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.57V @ 800A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ91/12A

ნაწილი საფონდო: 3563

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ035PBF

ნაწილი საფონდო: 79279

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V50100P-E3/45

ნაწილი საფონდო: 3814

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 780mV @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA140MD60D

ნაწილი საფონდო: 3603

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 99A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-113CNQ100ASMPBF

ნაწილი საფონდო: 10057

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 55A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 110A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKCL240-25S30

ნაწილი საფონდო: 3631

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 2500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 240A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.75V @ 800A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD56/10A

ნაწილი საფონდო: 4440

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი