Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
VS-VSKC91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/10

ნაწილი საფონდო: 2039

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-301CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-301CNQ045PBF

ნაწილი საფონდო: 2122

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD166/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD166/04PBF

ნაწილი საფონდო: 1365

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 82.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJ56/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/04

ნაწილი საფონდო: 2153

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VBT2060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2060C-E3/8W

ნაწილი საფონდო: 139994

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD91/14

ნაწილი საფონდო: 1985

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VB40100G-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40100G-E3/8W

ნაწილი საფონდო: 55669

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJ91/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ91/08

ნაწილი საფონდო: 2094

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD91/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD91/08

ნაწილი საფონდო: 2040

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJ71/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ71/08

ნაწილი საფონდო: 2138

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD91/16

ნაწილი საფონდო: 1964

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VBT4060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT4060C-E3/8W

ნაწილი საფონდო: 64485

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKC91/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/08

ნაწილი საფონდო: 2054

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD71/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/06

ნაწილი საფონდო: 2190

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF1560CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1560CTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 106481

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H100CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 71860

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBLB25L30CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L30CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 67264

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 12.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 12.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF10H100CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 88363

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 760mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB1560CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CTHE3_A/P

ნაწილი საფონდო: 105705

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKC56/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/08

ნაწილი საფონდო: 2211

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJ56/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/10

ნაწილი საფონდო: 2145

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJ56/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/12

ნაწილი საფონდო: 2231

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-440CNQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-440CNQ030PBF

ნაწილი საფონდო: 1526

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 220A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 440A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB20H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H100CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 68193

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 770mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD71/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/04

ნაწილი საფონდო: 2182

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-301CNQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-301CNQ040PBF

ნაწილი საფონდო: 1500

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VBT1060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1060C-E3/8W

ნაწილი საფონდო: 170745

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJ91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ91/12

ნაწილი საფონდო: 1961

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJ236/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ236/16PBF

ნაწილი საფონდო: 1263

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 115A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-HFA70FA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA70FA120

ნაწილი საფონდო: 1640

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.8V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-HFA70EA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA70EA120

ნაწილი საფონდო: 1559

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 35A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKC71/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC71/12

ნაწილი საფონდო: 2172

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFB310CB40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB310CB40

ნაწილი საფონდო: 4104

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 155A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.34V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30H45PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H45PT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 64570

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJS403/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJS403/100

ნაწილი საფონდო: 1625

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKC91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/06

ნაწილი საფონდო: 2057

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი