Menu
საქართველოსაქართველო
0Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
MBRB3045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3045CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 77806

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJ71/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ71/14

ნაწილი საფონდო: 2188

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB1545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1545CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 112097

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VB10170C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB10170C-E3/8W

ნაწილი საფონდო: 122126

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 170V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.03V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFB211FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB211FA40

ნაწილი საფონდო: 3323

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.59V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBLB25L30CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L30CTHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 79749

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 12.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 390mV @ 12.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-200CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-200CNQ045PBF

ნაწილი საფონდო: 1787

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB25H35CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H35CTHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 65353

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 640mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD166/14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD166/14PBF

ნაწილი საფონდო: 1320

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 82.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB2090CT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2090CT-E3/8W

ნაწილი საფონდო: 65849

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBL25L30CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL25L30CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 81861

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 12.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 12.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VBT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2045CBP-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 87405

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKCS203/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS203/100

ნაწილი საფონდო: 1866

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJS409/150
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJS409/150

ნაწილი საფონდო: 1011

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.03V @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR10H100CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 94811

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 760mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB1090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1090CT-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 127965

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJS209/150
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJS209/150

ნაწილი საფონდო: 1905

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.01V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKC236/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC236/12PBF

ნაწილი საფონდო: 1199

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 115A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB30H60CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H60CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 55810

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBLB1040CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1040CTHE3_A/P

ნაწილი საფონდო: 110716

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VB20M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20M120C-E3/8W

ნაწილი საფონდო: 114192

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 910mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSUD200CH60PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSUD200CH60PBF

ნაწილი საფონდო: 2241

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2V @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD71/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/16

ნაწილი საფონდო: 2238

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKCS409/150
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS409/150

ნაწილი საფონდო: 970

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.03V @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFB130FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB130FA60

ნაწილი საფონდო: 1935

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 87A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFL250CB60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL250CB60

ნაწილი საფონდო: 3988

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 130A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.44V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJ166/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ166/16PBF

ნაწილი საფონდო: 1319

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 82.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJ71/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ71/10

ნაწილი საფონდო: 2090

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30H90PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H90PT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 43170

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKC56/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/04

ნაწილი საფონდო: 2164

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD56/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD56/16

ნაწილი საფონდო: 2163

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKCS400/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS400/045

ნაწილი საფონდო: 1583

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 670mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-40CPQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ035-N3

ნაწილი საფონდო: 9661

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 590mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB20H100CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H100CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 56467

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 770mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-HFA320NJ40CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA320NJ40CPBF

ნაწილი საფონდო: 1468

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 420A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.54V @ 320A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBL4040PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL4040PT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 45720

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი