დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 97

VS-10CDH06HM3/I

ნაწილი საფონდო: 134642

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H45CTHE3_A/P

ნაწილი საფონდო: 65354

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 89561

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H45CTHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 65350

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 640mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ71/06

ნაწილი საფონდო: 2134

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD56/06

ნაწილი საფონდო: 2191

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD166/12PBF

ნაწილი საფონდო: 1357

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 82.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/16

ნაწილი საფონდო: 2263

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS220/030

ნაწილი საფონდო: 1759

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 110A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 590mV @ 110A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H45CTHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 75028

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2560CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 70138

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1545CBP-E3/8W

ნაწილი საფონდო: 134802

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB80FA60

ნაწილი საფონდო: 4629

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 57A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS203/100

ნაწილი საფონდო: 1705

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H45CTHE3_A/P

ნაწილი საფონდო: 95826

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS40L45CW-N3

ნაწილი საფონდო: 10723

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-220CNQ030PBF

ნაწილი საფონდო: 1485

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 110A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 110A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ71/12

ნაწილი საფონდო: 2270

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC166/08PBF

ნაწილი საფონდო: 1295

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 82.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.43V @ 259A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD56/12

ნაწილი საფონდო: 2060

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL2030PT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 58682

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS401/045

ნაწილი საფონდო: 1520

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD236/04PBF

ნაწილი საფონდო: 1238

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 115A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD56/14

ნაწილი საფონდო: 2186

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

M6035P-E3/45

ნაწილი საფონდო: 40317

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT6045C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 52254

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 640mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40100PW-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 26819

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 770mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS440/030

ნაწილი საფონდო: 1521

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 110A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 220A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSUD405CW60

ნაწილი საფონდო: 1921

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 480A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.72V @ 400A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURD620CTTRLPBF

ნაწილი საფონდო: 171438

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VB30120C-E3/8W

ნაწილი საფონდო: 53265

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 970mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL130FA60

ნაწილი საფონდო: 4678

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 130A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.88V @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H45CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 55831

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2060CTHE3_A/P

ნაწილი საფონდო: 96173

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJS440/030

ნაწილი საფონდო: 1803

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 220A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 220A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H60CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 75987

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი