Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
VS-VSKD196/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD196/12PBF

ნაწილი საფონდო: 1251

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 97.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKC91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/14

ნაწილი საფონდო: 2038

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-303CNQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-303CNQ100PBF

ნაწილი საფონდო: 1419

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.09V @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-409CNQ135PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-409CNQ135PBF

ნაწილი საფონდო: 1508

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 135V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.46V @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VBT3045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT3045CBP-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 68058

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD91/10

ნაწილი საფონდო: 2079

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF2060CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2060CTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 94516

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VB20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20202G-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 83715

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB2545CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2545CTHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 64327

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 12.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-401CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-401CNQ045PBF

ნაწილი საფონდო: 1994

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 780mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKCS208/060
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS208/060

ნაწილი საფონდო: 1715

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 690mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB2560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2560CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 73221

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF1560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1560CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 106512

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBLB1640CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1640CTHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 87439

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBLB1040CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1040CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 90200

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-203CNQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-203CNQ100PBF

ნაწილი საფონდო: 1454

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 860mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD71/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/14

ნაწილი საფონდო: 2256

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKC91/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/04

ნაწილი საფონდო: 2111

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB30H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H100CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 68132

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF2045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2045CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 90619

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB2545CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2545CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 64473

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
M6045P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

M6045P-E3/45

ნაწილი საფონდო: 40409

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKDS208/060
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS208/060

ნაწილი საფონდო: 2108

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VFT3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 50921

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VB20100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20100C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 97889

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFB130FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB130FA20

ნაწილი საფონდო: 2563

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 65A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.13V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB2560CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2560CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 60669

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKCS440/030
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS440/030

ნაწილი საფონდო: 1579

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 220A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 220A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKC71/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC71/14

ნაწილი საფონდო: 2160

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB10H100CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB10H100CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 70690

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 760mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD71/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/10

ნაწილი საფონდო: 2109

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKC71/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC71/08

ნაწილი საფონდო: 2117

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR40H60PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR40H60PT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 50217

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB1560CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CTHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 73950

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBL2040PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL2040PT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 58684

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKJ91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ91/10

ნაწილი საფონდო: 1999

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი