დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 6

CRG09(TE85L,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 193

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 700mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 250

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 223

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 100ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

ნაწილი საფონდო: 162

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 183

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 700mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 178

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 100ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 166

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 130001

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

ნაწილი საფონდო: 2615

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

ნაწილი საფონდო: 2547

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.55V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

ნაწილი საფონდო: 2587

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.55V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

ნაწილი საფონდო: 2557

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.58V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

ნაწილი საფონდო: 2558

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05,LMBJQ(O

ნაწილი საფონდო: 2588

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.98V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

ნაწილი საფონდო: 2552

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

ნაწილი საფონდო: 2596

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.47V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,SHINA,Q)

ნაწილი საფონდო: 2554

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.58V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

ნაწილი საფონდო: 2598

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.98V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

ნაწილი საფონდო: 2581

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.98V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PCD,Q)

ნაწილი საფონდო: 2562

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.58V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16R,Q)

ნაწილი საფონდო: 2544

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.55V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CLAR,Q)

ნაწილი საფონდო: 2597

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.55V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,SQC,Q)

ნაწილი საფონდო: 2590

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.55V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16L,Q)

ნაწილი საფონდო: 2608

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16R,Q)

ნაწილი საფონდო: 2533

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.98V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01,LFJFQ(O

ნაწილი საფონდო: 2549

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.47V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03,LNITTOQ(O

ნაწილი საფონდო: 2564

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.58V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

ნაწილი საფონდო: 2613

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.58V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16L,Q)

ნაწილი საფონდო: 2603

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

ნაწილი საფონდო: 2602

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.58V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

ნაწილი საფონდო: 5263

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.58V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

ნაწილი საფონდო: 2547

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

ნაწილი საფონდო: 2552

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 0.58V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

ნაწილი საფონდო: 5332

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

ნაწილი საფონდო: 2062

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 400mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 102694

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი