დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

სახლი
დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

ნაწილი საფონდო: 117530

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.6ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

ნაწილი საფონდო: 116

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

ნაწილი საფონდო: 131

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

ნაწილი საფონდო: 111

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 161

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

ნაწილი საფონდო: 176168

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

ნაწილი საფონდო: 156192

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

ნაწილი საფონდო: 201

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

1SS401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 122602

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 300mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

ნაწილი საფონდო: 2303

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

ნაწილი საფონდო: 1533

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

ნაწილი საფონდო: 154898

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 10V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

ნაწილი საფონდო: 152629

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი

1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 136052

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

ნაწილი საფონდო: 175794

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 60ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

ნაწილი საფონდო: 1558

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 60ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

ნაწილი საფონდო: 146552

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

ნაწილი საფონდო: 180671

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

ნაწილი საფონდო: 113319

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

ნაწილი საფონდო: 108515

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

ნაწილი საფონდო: 21577

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

ნაწილი საფონდო: 106441

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

ნაწილი საფონდო: 119305

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 10V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

ნაწილი საფონდო: 129010

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 10V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

ნაწილი საფონდო: 138564

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.6ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

ნაწილი საფონდო: 174948

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 300mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

ნაწილი საფონდო: 106991

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

ნაწილი საფონდო: 126326

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

1SS250(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 172900

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 60ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

ნაწილი საფონდო: 154455

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

ნაწილი საფონდო: 8357

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

ნაწილი საფონდო: 8339

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

ნაწილი საფონდო: 8339

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

ნაწილი საფონდო: 6216

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

ნაწილი საფონდო: 176414

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

ნაწილი საფონდო: 162705

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

207

«
1
2
3
4
5
6
»