შასის მთის წინააღმდეგობები

HVR50D5M0K

HVR50D5M0K

ნაწილი საფონდო: 226

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT150039RJJ

CJT150039RJJ

ნაწილი საფონდო: 549

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT15001R5JJ

CJT15001R5JJ

ნაწილი საფონდო: 595

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR50D300KJ

HVR50D300KJ

ნაწილი საფონდო: 177

წინააღმდეგობა: 300 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT150082RJJ

CJT150082RJJ

ნაწილი საფონდო: 542

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT1500470RJJ

CJT1500470RJJ

ნაწილი საფონდო: 584

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR50D50MK

HVR50D50MK

ნაწილი საფონდო: 192

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
HVR30B82MF

HVR30B82MF

ნაწილი საფონდო: 481

წინააღმდეგობა: 82 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
HVR50B50MK

HVR50B50MK

ნაწილი საფონდო: 249

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT15001K2JJ

CJT15001K2JJ

ნაწილი საფონდო: 627

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR30D100MK

HVR30D100MK

ნაწილი საფონდო: 267

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CFH500A2R2J

CFH500A2R2J

ნაწილი საფონდო: 242

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
CJT15008R2JJ

CJT15008R2JJ

ნაწილი საფონდო: 596

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR50D7M5F

HVR50D7M5F

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 7.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT15005R6JJ

CJT15005R6JJ

ნაწილი საფონდო: 569

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CFH350A22RJ

CFH350A22RJ

ნაწილი საფონდო: 250

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
CJT150056RJJ

CJT150056RJJ

ნაწილი საფონდო: 606

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR30B8M4J

HVR30B8M4J

ნაწილი საფონდო: 486

წინააღმდეგობა: 8.4 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
HVR50D82M5J

HVR50D82M5J

ნაწილი საფონდო: 167

წინააღმდეგობა: 82.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CFH350B620RJ

CFH350B620RJ

ნაწილი საფონდო: 211

სასურველი
CJT15001K0JJ

CJT15001K0JJ

ნაწილი საფონდო: 562

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT150015RJJ

CJT150015RJJ

ნაწილი საფონდო: 569

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT150022RJJ

CJT150022RJJ

ნაწილი საფონდო: 560

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR50D100MK

HVR50D100MK

ნაწილი საფონდო: 168

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT15006R8JJ

CJT15006R8JJ

ნაწილი საფონდო: 584

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR50D10MK

HVR50D10MK

ნაწილი საფონდო: 224

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
HVR30B500KF

HVR30B500KF

ნაწილი საფონდო: 504

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT15003R3JJ

CJT15003R3JJ

ნაწილი საფონდო: 547

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT15001R2JJ

CJT15001R2JJ

ნაწილი საფონდო: 571

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT1500120RJJ

CJT1500120RJJ

ნაწილი საფონდო: 628

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR50D30MK

HVR50D30MK

ნაწილი საფონდო: 160

წინააღმდეგობა: 30 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT1500180RJJ

CJT1500180RJJ

ნაწილი საფონდო: 597

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR50D82M5K

HVR50D82M5K

ნაწილი საფონდო: 212

წინააღმდეგობა: 82.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
HVR30C15MJ

HVR30C15MJ

ნაწილი საფონდო: 414

წინააღმდეგობა: 15 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
HVR30D50MK

HVR30D50MK

ნაწილი საფონდო: 332

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT15003R9JJ

CJT15003R9JJ

ნაწილი საფონდო: 583

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი