შასის მთის წინააღმდეგობები

7-1625966-2

7-1625966-2

ნაწილი საფონდო: 8607

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 16W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
7-1625963-1

7-1625963-1

ნაწილი საფონდო: 8570

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
8-1625999-6

8-1625999-6

ნაწილი საფონდო: 8610

წინააღმდეგობა: 11.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
BDS2A60028KJ

BDS2A60028KJ

ნაწილი საფონდო: 336

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 140°C,

სასურველი
BDS2A60030RJ

BDS2A60030RJ

ნაწილი საფონდო: 382

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 140°C,

სასურველი
BDS2A2501R5J

BDS2A2501R5J

ნაწილი საფონდო: 366

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A25043RF

BDS2A25043RF

ნაწილი საფონდო: 418

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A250R47J

BDS2A250R47J

ნაწილი საფონდო: 459

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A250100RK

BDS2A250100RK

ნაწილი საფონდო: 468

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A25010RK

BDS2A25010RK

ნაწილი საფონდო: 440

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A250400RJ

BDS2A250400RJ

ნაწილი საფონდო: 452

წინააღმდეგობა: 400 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A2502K0J

BDS2A2502K0J

ნაწილი საფონდო: 383

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A40016RJ

BDS2A40016RJ

ნაწილი საფონდო: 445

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS4B250R47K

BDS4B250R47K

ნაწილი საფონდო: 575

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS4B2501R0K

BDS4B2501R0K

ნაწილი საფონდო: 562

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A250100KK

BDS2A250100KK

ნაწილი საფონდო: 634

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A2504R7K

BDS2A2504R7K

ნაწილი საფონდო: 617

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A2502R2K

BDS2A2502R2K

ნაწილი საფონდო: 671

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A2503R3K

BDS2A2503R3K

ნაწილი საფონდო: 630

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A250470RK

BDS2A250470RK

ნაწილი საფონდო: 688

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A2501R0K

BDS2A2501R0K

ნაწილი საფონდო: 656

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A2508K2K

BDS2A2508K2K

ნაწილი საფონდო: 700

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A250220RK

BDS2A250220RK

ნაწილი საფონდო: 637

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A25022RK

BDS2A25022RK

ნაწილი საფონდო: 642

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A25047RK

BDS2A25047RK

ნაწილი საფონდო: 659

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A250150RK

BDS2A250150RK

ნაწილი საფონდო: 631

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A2504K7K

BDS2A2504K7K

ნაწილი საფონდო: 704

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A25088RK

BDS2A25088RK

ნაწილი საფონდო: 667

წინააღმდეგობა: 88 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A2506R8K

BDS2A2506R8K

ნაწილი საფონდო: 649

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A2501K0K

BDS2A2501K0K

ნაწილი საფონდო: 677

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A25044RK

BDS2A25044RK

ნაწილი საფონდო: 695

წინააღმდეგობა: 44 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A25015RK

BDS2A25015RK

ნაწილი საფონდო: 762

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A2502K2K

BDS2A2502K2K

ნაწილი საფონდო: 701

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A2508R0K

BDS2A2508R0K

ნაწილი საფონდო: 665

წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS4B1001R0K

BDS4B1001R0K

ნაწილი საფონდო: 1072

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A10010RK

BDS2A10010RK

ნაწილი საფონდო: 1261

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი