შასის მთის წინააღმდეგობები

BDS2A10047RK

BDS2A10047RK

ნაწილი საფონდო: 1278

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A1002R2K

BDS2A1002R2K

ნაწილი საფონდო: 1214

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A1004R7K

BDS2A1004R7K

ნაწილი საფონდო: 1272

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A10033RK

BDS2A10033RK

ნაწილი საფონდო: 1293

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A1003R3K

BDS2A1003R3K

ნაწილი საფონდო: 1236

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A100470RK

BDS2A100470RK

ნაწილი საფონდო: 1241

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A1006R8K

BDS2A1006R8K

ნაწილი საფონდო: 1202

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A1001K0K

BDS2A1001K0K

ნაწილი საფონდო: 1219

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A100220RK

BDS2A100220RK

ნაწილი საფონდო: 1244

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A10022RK

BDS2A10022RK

ნაწილი საფონდო: 1279

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS4E100150R0J

BDS4E100150R0J

ნაწილი საფონდო: 1348

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A100100KJ

BDS2A100100KJ

ნაწილი საფონდო: 1300

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A100100RJ

BDS2A100100RJ

ნაწილი საფონდო: 1326

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A1001M0J

BDS2A1001M0J

ნაწილი საფონდო: 1329

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A1002K6J

BDS2A1002K6J

ნაწილი საფონდო: 1318

წინააღმდეგობა: 2.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A100250RJ

BDS2A100250RJ

ნაწილი საფონდო: 1312

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS4B100R47K

BDS4B100R47K

ნაწილი საფონდო: 1326

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A10033RJ

BDS2A10033RJ

ნაწილი საფონდო: 1393

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A100100RK

BDS2A100100RK

ნაწილი საფონდო: 1723

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A100270RJ

BDS2A100270RJ

ნაწილი საფონდო: 1391

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A10050RJ

BDS2A10050RJ

ნაწილი საფონდო: 1331

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A100330RK

BDS2A100330RK

ნაწილი საფონდო: 1610

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A100680RK

BDS2A100680RK

ნაწილი საფონდო: 1640

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A1004K7K

BDS2A1004K7K

ნაწილი საფონდო: 1571

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A10015RK

BDS2A10015RK

ნაწილი საფონდო: 1553

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A1006K8K

BDS2A1006K8K

ნაწილი საფონდო: 1624

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A10068RK

BDS2A10068RK

ნაწილი საფონდო: 1568

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A10010KK

BDS2A10010KK

ნაწილი საფონდო: 1555

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A1002K2K

BDS2A1002K2K

ნაწილი საფონდო: 1585

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
BDS2A100150RK

BDS2A100150RK

ნაწილი საფონდო: 1552

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CFH350A10RJ

CFH350A10RJ

ნაწილი საფონდო: 190

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
CFH350A3R3J

CFH350A3R3J

ნაწილი საფონდო: 187

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
HVR30D25MK

HVR30D25MK

ნაწილი საფონდო: 267

წინააღმდეგობა: 25 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT1500150RJJ

CJT1500150RJJ

ნაწილი საფონდო: 582

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CFH1100A5R6J

CFH1100A5R6J

ნაწილი საფონდო: 241

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2200W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
HVR50D1M0K

HVR50D1M0K

ნაწილი საფონდო: 183

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი