ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

1-1623708-7

1-1623708-7

ნაწილი საფონდო: 7075

წინააღმდეგობა: 510 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
1-1623708-5

1-1623708-5

ნაწილი საფონდო: 7093

წინააღმდეგობა: 56 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
1623708-4

1623708-4

ნაწილი საფონდო: 7094

წინააღმდეგობა: 1.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
1623708-9

1623708-9

ნაწილი საფონდო: 7137

წინააღმდეგობა: 4.7 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
1879644-3

1879644-3

ნაწილი საფონდო: 7145

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
1-1625959-3

1-1625959-3

ნაწილი საფონდო: 7118

წინააღმდეგობა: 200 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1625960-5

1625960-5

ნაწილი საფონდო: 7130

წინააღმდეგობა: 1.44 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1-1625959-7

1-1625959-7

ნაწილი საფონდო: 7144

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1-1625959-1

1-1625959-1

ნაწილი საფონდო: 7090

წინააღმდეგობა: 1.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1625959-1

1625959-1

ნაწილი საფონდო: 7092

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1-1625959-2

1-1625959-2

ნაწილი საფონდო: 7140

წინააღმდეგობა: 1.8 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1625959-5

1625959-5

ნაწილი საფონდო: 7151

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1625959-4

1625959-4

ნაწილი საფონდო: 7148

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1-1625958-9

1-1625958-9

ნაწილი საფონდო: 7088

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1625958-9

1625958-9

ნაწილი საფონდო: 7074

წინააღმდეგობა: 125 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1-1625958-1

1-1625958-1

ნაწილი საფონდო: 7129

წინააღმდეგობა: 160 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1625958-6

1625958-6

ნაწილი საფონდო: 7088

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1625958-3

1625958-3

ნაწილი საფონდო: 7068

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1-1625958-3

1-1625958-3

ნაწილი საფონდო: 7115

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1-1625958-0

1-1625958-0

ნაწილი საფონდო: 7140

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1625958-7

1625958-7

ნაწილი საფონდო: 7069

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1-1625958-6

1-1625958-6

ნაწილი საფონდო: 7089

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1623722-1

1623722-1

ნაწილი საფონდო: 5448

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 11W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
1623824-6

1623824-6

ნაწილი საფონდო: 5437

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
1623824-7

1623824-7

ნაწილი საფონდო: 5382

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
1613454-1

1613454-1

ნაწილი საფონდო: 3634

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
1-1613470-3

1-1613470-3

ნაწილი საფონდო: 5389

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
1613944-5

1613944-5

ნაწილი საფონდო: 3615

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
1613575-2

1613575-2

ნაწილი საფონდო: 5440

წინააღმდეგობა: 162 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
1613634-5

1613634-5

ნაწილი საფონდო: 4899

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
1613486-3

1613486-3

ნაწილი საფონდო: 3573

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
1613676-2

1613676-2

ნაწილი საფონდო: 4898

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
1-1623708-4

1-1623708-4

ნაწილი საფონდო: 3931

წინააღმდეგობა: 2.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
1-1625958-4

1-1625958-4

ნაწილი საფონდო: 3949

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1625959-8

1625959-8

ნაწილი საფონდო: 3966

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
1-1625958-7

1-1625958-7

ნაწილი საფონდო: 4003

წინააღმდეგობა: 200 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი