ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

UPW50B2K0V

UPW50B2K0V

ნაწილი საფონდო: 11482

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW25B100KV

UPW25B100KV

ნაწილი საფონდო: 11483

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW25B5K0V

UPW25B5K0V

ნაწილი საფონდო: 11502

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW50B20RV

UPW50B20RV

ნაწილი საფონდო: 11467

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HB11G0FZRE

HB11G0FZRE

ნაწილი საფონდო: 11527

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
UPW25B10RV

UPW25B10RV

ნაწილი საფონდო: 11501

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HB110MFZRE

HB110MFZRE

ნაწილი საფონდო: 11564

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB1100MFZRE

HB1100MFZRE

ნაწილი საფონდო: 11507

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
UPW50B5K0V

UPW50B5K0V

ნაწილი საფონდო: 11418

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW25B250RV

UPW25B250RV

ნაწილი საფონდო: 11497

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW50B50RV

UPW50B50RV

ნაწილი საფონდო: 11415

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW25B50RV

UPW25B50RV

ნაწილი საფონდო: 11463

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HB13M0FZRE

HB13M0FZRE

ნაწილი საფონდო: 11563

წინააღმდეგობა: 3 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB11M0FZRE

HB11M0FZRE

ნაწილი საფონდო: 11532

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
UPW25B1K0V

UPW25B1K0V

ნაწილი საფონდო: 11427

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW50B50KV

UPW50B50KV

ნაწილი საფონდო: 11429

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW50B10RV

UPW50B10RV

ნაწილი საფონდო: 11430

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HB110KFZRE

HB110KFZRE

ნაწილი საფონდო: 11545

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB120MFZRE

HB120MFZRE

ნაწილი საფონდო: 11483

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB1300KFZRE

HB1300KFZRE

ნაწილი საფონდო: 11528

წინააღმდეგობა: 300 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
UPW50B10KV

UPW50B10KV

ნაწილი საფონდო: 11449

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW50B1K0V

UPW50B1K0V

ნაწილი საფონდო: 11423

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW50B350RV

UPW50B350RV

ნაწილი საფონდო: 11481

წინააღმდეგობა: 350 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW50B20KV

UPW50B20KV

ნაწილი საფონდო: 11463

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW50B40KV

UPW50B40KV

ნაწილი საფონდო: 11495

წინააღმდეგობა: 40 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW25B10KV

UPW25B10KV

ნაწილი საფონდო: 11489

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HB1100KFZRE

HB1100KFZRE

ნაწილი საფონდო: 11496

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB1300MFZRE

HB1300MFZRE

ნაწილი საფონდო: 11500

წინააღმდეგობა: 300 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
UPW25B350RV

UPW25B350RV

ნაწილი საფონდო: 9658

წინააღმდეგობა: 350 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW25B120RV

UPW25B120RV

ნაწილი საფონდო: 9676

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MPR20A4R7J

MPR20A4R7J

ნაწილი საფონდო: 13113

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MPR20C330RJ

MPR20C330RJ

ნაწილი საფონდო: 13072

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20C22RJ

MPR20C22RJ

ნაწილი საფონდო: 13152

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20C100RJ

MPR20C100RJ

ნაწილი საფონდო: 13087

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20H1K0J

MPR20H1K0J

ნაწილი საფონდო: 22906

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20H470RJ

MPR20H470RJ

ნაწილი საფონდო: 22852

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი