ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

MPR20C470RJ

MPR20C470RJ

ნაწილი საფონდო: 13064

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20C4K7J

MPR20C4K7J

ნაწილი საფონდო: 13084

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
CBT50K10R

CBT50K10R

ნაწილი საფონდო: 131981

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -600/ +200ppm/°C,

სასურველი
MPR20HR22J

MPR20HR22J

ნაწილი საფონდო: 11367

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MPR20C15RJ

MPR20C15RJ

ნაწილი საფონდო: 28361

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20H10RJ

MPR20H10RJ

ნაწილი საფონდო: 22919

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ROX2SF220R

ROX2SF220R

ნაწილი საფონდო: 163788

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
MPR20C15KJ

MPR20C15KJ

ნაწილი საფონდო: 13134

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20C220RJ

MPR20C220RJ

ნაწილი საფონდო: 13105

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20C33RJ

MPR20C33RJ

ნაწილი საფონდო: 13139

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20HR47J

MPR20HR47J

ნაწილი საფონდო: 11407

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
ROX1SF4K7

ROX1SF4K7

ნაწილი საფონდო: 102581

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
MPR20C47RJ

MPR20C47RJ

ნაწილი საფონდო: 13107

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HBS508M2JZ

HBS508M2JZ

ნაწილი საფონდო: 8446

წინააღმდეგობა: 8.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB31G0FZRE

HB31G0FZRE

ნაწილი საფონდო: 9282

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB3100MFZRE

HB3100MFZRE

ნაწილი საფონდო: 9269

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB310MFZRE

HB310MFZRE

ნაწილი საფონდო: 9271

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB350MFZRE

HB350MFZRE

ნაწილი საფონდო: 9282

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB35M0FZRE

HB35M0FZRE

ნაწილი საფონდო: 9301

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB31M0FZRE

HB31M0FZRE

ნაწილი საფონდო: 9292

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB13M3CZRE

HB13M3CZRE

ნაწილი საფონდო: 17147

წინააღმდეგობა: 3.3 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ROX1SF3K0

ROX1SF3K0

ნაწილი საფონდო: 104372

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ROX1SF1K8

ROX1SF1K8

ნაწილი საფონდო: 148896

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ROX1SF1K0

ROX1SF1K0

ნაწილი საფონდო: 183209

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ROX1SF10R

ROX1SF10R

ნაწილი საფონდო: 162234

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
HB15M0FZRE

HB15M0FZRE

ნაწილი საფონდო: 11537

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
UPW25B100RV

UPW25B100RV

ნაწილი საფონდო: 11412

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW50B330RV

UPW50B330RV

ნაწილი საფონდო: 11416

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW50B500RV

UPW50B500RV

ნაწილი საფონდო: 11487

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HB3100MFCRE

HB3100MFCRE

ნაწილი საფონდო: 10630

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB1500MFZRE

HB1500MFZRE

ნაწილი საფონდო: 11562

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
UPW50B120RV

UPW50B120RV

ნაწილი საფონდო: 11493

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HB1500KFZRE

HB1500KFZRE

ნაწილი საფონდო: 11486

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
UPW50B200RV

UPW50B200RV

ნაწილი საფონდო: 11468

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPW50B100RV

UPW50B100RV

ნაწილი საფონდო: 11510

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HB150MFZRE

HB150MFZRE

ნაწილი საფონდო: 11518

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი