ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

HB330MFZRE

HB330MFZRE

ნაწილი საფონდო: 16499

წინააღმდეგობა: 30 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB3330MFZRE

HB3330MFZRE

ნაწილი საფონდო: 16457

წინააღმდეგობა: 330 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
UPF50B1K0V

UPF50B1K0V

ნაწილი საფონდო: 27263

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPF50B20RV

UPF50B20RV

ნაწილი საფონდო: 27220

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MPR20H15KJ

MPR20H15KJ

ნაწილი საფონდო: 22829

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
UPF50B100RV

UPF50B100RV

ნაწილი საფონდო: 27267

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPF50B500RV

UPF50B500RV

ნაწილი საფონდო: 27215

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
UPF50B100KV

UPF50B100KV

ნაწილი საფონდო: 27290

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MPR20H27KJ

MPR20H27KJ

ნაწილი საფონდო: 22848

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20H33RJ

MPR20H33RJ

ნაწილი საფონდო: 22832

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
UPF50B10RV

UPF50B10RV

ნაწილი საფონდო: 27267

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HB35M0JRZE

HB35M0JRZE

ნაწილი საფონდო: 16423

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MPR20H12KJ

MPR20H12KJ

ნაწილი საფონდო: 22847

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HB320MFZRE

HB320MFZRE

ნაწილი საფონდო: 16449

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HB33M0FZRE

HB33M0FZRE

ნაწილი საფონდო: 16492

წინააღმდეგობა: 3 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
UPF25B250RV

UPF25B250RV

ნაწილი საფონდო: 26710

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
C1447KJL

C1447KJL

ნაწილი საფონდო: 26920

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 14W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
C14100KJL

C14100KJL

ნაწილი საფონდო: 26952

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 14W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
UPF25B120RV

UPF25B120RV

ნაწილი საფონდო: 26725

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
C1468KJL

C1468KJL

ნაწილი საფონდო: 26901

წინააღმდეგობა: 68 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 14W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
MPR20C20RF

MPR20C20RF

ნაწილი საფონდო: 24744

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20C100RF

MPR20C100RF

ნაწილი საფონდო: 24699

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HBA10MFZRE

HBA10MFZRE

ნაწილი საფონდო: 19813

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HBA22MFZRE

HBA22MFZRE

ნაწილი საფონდო: 19804

წინააღმდეგობა: 22 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MPT30C500RF

MPT30C500RF

ნაწილი საფონდო: 23644

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HBA33MFZRE

HBA33MFZRE

ნაწილი საფონდო: 19886

წინააღმდეგობა: 33 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HBA100MFZRE

HBA100MFZRE

ნაწილი საფონდო: 19876

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HBA47MFZRE

HBA47MFZRE

ნაწილი საფონდო: 19870

წინააღმდეგობა: 47 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MPR20C75RJ

MPR20C75RJ

ნაწილი საფონდო: 28305

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20A2R2J

MPR20A2R2J

ნაწილი საფონდო: 28396

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MPR20C2K2J

MPR20C2K2J

ნაწილი საფონდო: 28349

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20C120RJ

MPR20C120RJ

ნაწილი საფონდო: 28335

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20A6R8J

MPR20A6R8J

ნაწილი საფონდო: 28398

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MPR20C10RJ

MPR20C10RJ

ნაწილი საფონდო: 28362

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20C1K0J

MPR20C1K0J

ნაწილი საფონდო: 28333

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MPR20C10KJ

MPR20C10KJ

ნაწილი საფონდო: 28349

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Non-Inductive, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი