შასის მთის წინააღმდეგობები

1623817-3

1623817-3

ნაწილი საფონდო: 8590

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 140°C,

სასურველი
1623817-1

1623817-1

ნაწილი საფონდო: 8550

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 140°C,

სასურველი
1623817-4

1623817-4

ნაწილი საფონდო: 8589

წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 140°C,

სასურველი
1879020-1

1879020-1

ნაწილი საფონდო: 7343

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
1630012-3

1630012-3

ნაწილი საფონდო: 6795

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
1625955-2

1625955-2

ნაწილი საფონდო: 6841

წინააღმდეგობა: 5.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
1625951-9

1625951-9

ნაწილი საფონდო: 6750

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
1625947-9

1625947-9

ნაწილი საფონდო: 6808

წინააღმდეგობა: 6.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
1625995-1

1625995-1

ნაწილი საფონდო: 6612

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
1625957-4

1625957-4

ნაწილი საფონდო: 6569

წინააღმდეგობა: 110 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
1676814-8

1676814-8

ნაწილი საფონდო: 850

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
1879248-1

1879248-1

ნაწილი საფონდო: 4391

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
2-1614775-9

2-1614775-9

ნაწილი საფონდო: 376

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
2-1623817-3

2-1623817-3

ნაწილი საფონდო: 256

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 140°C,

სასურველი
2-1630012-3

2-1630012-3

ნაწილი საფონდო: 8599

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
2-1630012-2

2-1630012-2

ნაწილი საფონდო: 3929

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
2-1625971-1

2-1625971-1

ნაწილი საფონდო: 8623

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±3%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
2-1625963-7

2-1625963-7

ნაწილი საფონდო: 8565

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
2-1630012-1

2-1630012-1

ნაწილი საფონდო: 6558

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
3-1625985-5

3-1625985-5

ნაწილი საფონდო: 8684

წინააღმდეგობა: 9.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
3-1630027-5

3-1630027-5

ნაწილი საფონდო: 8570

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
3-1630024-6

3-1630024-6

ნაწილი საფონდო: 8575

წინააღმდეგობა: 88.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
3-1630012-7

3-1630012-7

ნაწილი საფონდო: 8566

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
3-1625985-3

3-1625985-3

ნაწილი საფონდო: 8651

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
3-1625985-6

3-1625985-6

ნაწილი საფონდო: 8594

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
3-1625966-4

3-1625966-4

ნაწილი საფონდო: 8604

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±3%, სიმძლავრე (ვატი): 16W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
3-1623817-1

3-1623817-1

ნაწილი საფონდო: 8549

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 140°C,

სასურველი
4-1630186-5

4-1630186-5

ნაწილი საფონდო: 8660

წინააღმდეგობა: 390 mOhms, ტოლერანტობა: ±3%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
5-1630019-3

5-1630019-3

ნაწილი საფონდო: 3857

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
5-1625999-1

5-1625999-1

ნაწილი საფონდო: 3877

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
5-1625966-4

5-1625966-4

ნაწილი საფონდო: 8582

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 16W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
5-1630019-2

5-1630019-2

ნაწილი საფონდო: 6571

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
6-1625966-0

6-1625966-0

ნაწილი საფონდო: 8645

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 16W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
7-1625999-1

7-1625999-1

ნაწილი საფონდო: 8615

წინააღმდეგობა: 6.04 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
7-1625971-7

7-1625971-7

ნაწილი საფონდო: 8580

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
7-1625966-1

7-1625966-1

ნაწილი საფონდო: 8591

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 16W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი