შასის მთის წინააღმდეგობები

CJT150033RJJ

CJT150033RJJ

ნაწილი საფონდო: 594

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR30D7M5K

HVR30D7M5K

ნაწილი საფონდო: 323

წინააღმდეგობა: 7.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CFH1100A71R5J

CFH1100A71R5J

ნაწილი საფონდო: 293

სასურველი
CJT15002R7JJ

CJT15002R7JJ

ნაწილი საფონდო: 551

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR30D3M0J

HVR30D3M0J

ნაწილი საფონდო: 500

წინააღმდეგობა: 3 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT1500270RJJ

CJT1500270RJJ

ნაწილი საფონდო: 534

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR30D10MK

HVR30D10MK

ნაწილი საფონდო: 322

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
HVR30D150MK

HVR30D150MK

ნაწილი საფონდო: 318

წინააღმდეგობა: 150 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
HVR30D1M0K

HVR30D1M0K

ნაწილი საფონდო: 334

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT15004R7JJ

CJT15004R7JJ

ნაწილი საფონდო: 533

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR30C10MJ

HVR30C10MJ

ნაწილი საფონდო: 393

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT1500330RJJ

CJT1500330RJJ

ნაწილი საფონდო: 593

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR50B35MK

HVR50B35MK

ნაწილი საფონდო: 189

წინააღმდეგობა: 35 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT1500680RJJ

CJT1500680RJJ

ნაწილი საფონდო: 624

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR30D1M6K

HVR30D1M6K

ნაწილი საფონდო: 252

წინააღმდეგობა: 1.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT1500220RJJ

CJT1500220RJJ

ნაწილი საფონდო: 585

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT1500820RJJ

CJT1500820RJJ

ნაწილი საფონდო: 539

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT1500100RJJ

CJT1500100RJJ

ნაწილი საფონდო: 587

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT150047RJJ

CJT150047RJJ

ნაწილი საფონდო: 535

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT150068RJJ

CJT150068RJJ

ნაწილი საფონდო: 531

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR50D92KK

HVR50D92KK

ნაწილი საფონდო: 182

წინააღმდეგობა: 92 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT150027RJJ

CJT150027RJJ

ნაწილი საფონდო: 571

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CFH1100A56RJ

CFH1100A56RJ

ნაწილი საფონდო: 161

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2200W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
CFH1100A680RJ

CFH1100A680RJ

ნაწილი საფონდო: 242

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2200W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
HVR30C5M0K

HVR30C5M0K

ნაწილი საფონდო: 361

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CFH750A120RJ

CFH750A120RJ

ნაწილი საფონდო: 136

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
HVR50D110MKE

HVR50D110MKE

ნაწილი საფონდო: 197

წინააღმდეგობა: 110 MOhms, ტოლერანტობა: ±3%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CFH350A4R7J

CFH350A4R7J

ნაწილი საფონდო: 258

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
CJT15001K8JJ

CJT15001K8JJ

ნაწილი საფონდო: 566

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT1500560RJJ

CJT1500560RJJ

ნაწილი საფონდო: 541

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CFH1100A2R7J

CFH1100A2R7J

ნაწილი საფონდო: 264

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2200W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
CFH350A2R2J

CFH350A2R2J

ნაწილი საფონდო: 257

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
CJT1500390RJJ

CJT1500390RJJ

ნაწილი საფონდო: 567

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
HVR50D3M3J

HVR50D3M3J

ნაწილი საფონდო: 157

წინააღმდეგობა: 3.3 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CJT150012RJJ

CJT150012RJJ

ნაწილი საფონდო: 587

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT15001K5JJ

CJT15001K5JJ

ნაწილი საფონდო: 529

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი