ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RN73C2A220KBTG

RN73C2A220KBTG

ნაწილი საფონდო: 78939

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J9K53BTG

RN73C1J9K53BTG

ნაწილი საფონდო: 78927

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J422RBTG

RN73C1J422RBTG

ნაწილი საფონდო: 78970

წინააღმდეგობა: 422 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J82R5BTG

RN73C1J82R5BTG

ნაწილი საფონდო: 78976

წინააღმდეგობა: 82.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
SMA-A0204BTNX220R

SMA-A0204BTNX220R

ნაწილი საფონდო: 333

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J90R9BTG

RN73C1J90R9BTG

ნაწილი საფონდო: 78969

წინააღმდეგობა: 90.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J14K7BTG

RN73C1J14K7BTG

ნაწილი საფონდო: 78886

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J44K2BTG

RN73C1J44K2BTG

ნაწილი საფონდო: 78964

წინააღმდეგობა: 44.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J13RBTG

RN73C1J13RBTG

ნაწილი საფონდო: 78954

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J60R4BTG

RN73C1J60R4BTG

ნაწილი საფონდო: 78903

წინააღმდეგობა: 60.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J5K9BTG

RN73C1J5K9BTG

ნაწილი საფონდო: 78890

წინააღმდეგობა: 5.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J196RBTG

RN73C1J196RBTG

ნაწილი საფონდო: 78902

წინააღმდეგობა: 196 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J16K2BTG

RN73C1J16K2BTG

ნაწილი საფონდო: 78935

წინააღმდეგობა: 16.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J9K09BTG

RN73C1J9K09BTG

ნაწილი საფონდო: 78982

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J7K32BTG

RN73C1J7K32BTG

ნაწილი საფონდო: 78983

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J38K3BTG

RN73C1J38K3BTG

ნაწილი საფონდო: 78908

წინააღმდეგობა: 38.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J158RBTG

RN73C1J158RBTG

ნაწილი საფონდო: 78977

წინააღმდეგობა: 158 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J26K1BTG

RN73C1J26K1BTG

ნაწილი საფონდო: 78900

წინააღმდეგობა: 26.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J2K05BTG

RN73C1J2K05BTG

ნაწილი საფონდო: 75136

წინააღმდეგობა: 2.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J182RBTG

RN73C1J182RBTG

ნაწილი საფონდო: 78920

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J453RBTG

RN73C1J453RBTG

ნაწილი საფონდო: 78895

წინააღმდეგობა: 453 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J7K87BTG

RN73C1J7K87BTG

ნაწილი საფონდო: 78909

წინააღმდეგობა: 7.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J221RBTG

RN73C1J221RBTG

ნაწილი საფონდო: 78974

წინააღმდეგობა: 221 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RP73D2A6R49BTG

RP73D2A6R49BTG

ნაწილი საფონდო: 107342

წინააღმდეგობა: 6.49 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D2A169KBTG

RP73D2A169KBTG

ნაწილი საფონდო: 107360

წინააღმდეგობა: 169 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D2A806KBTG

RP73D2A806KBTG

ნაწილი საფონდო: 107433

წინააღმდეგობა: 806 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D1J634RBTG

RP73D1J634RBTG

ნაწილი საფონდო: 107412

წინააღმდეგობა: 634 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D2A5K23BTG

RP73D2A5K23BTG

ნაწილი საფონდო: 107353

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D2A619RBTG

RP73D2A619RBTG

ნაწილი საფონდო: 107383

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D1J43R2BTG

RP73D1J43R2BTG

ნაწილი საფონდო: 107429

წინააღმდეგობა: 43.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D1J130RBTG

RP73D1J130RBTG

ნაწილი საფონდო: 107404

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D1J750RBTG

RP73D1J750RBTG

ნაწილი საფონდო: 107429

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D2A25R5BTG

RP73D2A25R5BTG

ნაწილი საფონდო: 107370

წინააღმდეგობა: 25.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D1J35R7BTG

RP73D1J35R7BTG

ნაწილი საფონდო: 107395

წინააღმდეგობა: 35.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D2A665KBTG

RP73D2A665KBTG

ნაწილი საფონდო: 107388

წინააღმდეგობა: 665 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RP73D2A4K12BTG

RP73D2A4K12BTG

ნაწილი საფონდო: 107381

წინააღმდეგობა: 4.12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი