ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RN73C2A665RBTG

RN73C2A665RBTG

ნაწილი საფონდო: 78911

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A59RBTG

RN73C2A59RBTG

ნაწილი საფონდო: 78959

წინააღმდეგობა: 59 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A5K9BTG

RN73C2A5K9BTG

ნაწილი საფონდო: 78899

წინააღმდეგობა: 5.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A21K5BTG

RN73C2A21K5BTG

ნაწილი საფონდო: 78935

წინააღმდეგობა: 21.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A7R5BTG

RN73C2A7R5BTG

ნაწილი საფონდო: 78924

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J360RBTG

RN73C1J360RBTG

ნაწილი საფონდო: 78911

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A169KBTG

RN73C2A169KBTG

ნაწილი საფონდო: 78976

წინააღმდეგობა: 169 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A105KBTG

RN73C2A105KBTG

ნაწილი საფონდო: 78978

წინააღმდეგობა: 105 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A6K49BTDG

RN73C2A6K49BTDG

ნაწილი საფონდო: 78961

წინააღმდეგობა: 6.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A61R9BTG

RN73C2A61R9BTG

ნაწილი საფონდო: 78962

წინააღმდეგობა: 61.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A133RBTG

RN73C2A133RBTG

ნაწილი საფონდო: 78964

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J2K94BTG

RN73C1J2K94BTG

ნაწილი საფონდო: 78977

წინააღმდეგობა: 2.94 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A15K2BTG

RN73C2A15K2BTG

ნაწილი საფონდო: 78951

წინააღმდეგობა: 15.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J37R4BTG

RN73C1J37R4BTG

ნაწილი საფონდო: 78886

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J21RBTG

RN73C1J21RBTG

ნაწილი საფონდო: 78939

წინააღმდეგობა: 21 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A232KBTG

RN73C2A232KBTG

ნაწილი საფონდო: 78949

წინააღმდეგობა: 232 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J73R2BTG

RN73C1J73R2BTG

ნაწილი საფონდო: 78983

წინააღმდეგობა: 73.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A42R2BTG

RN73C2A42R2BTG

ნაწილი საფონდო: 78984

წინააღმდეგობა: 42.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A29R4BTG

RN73C2A29R4BTG

ნაწილი საფონდო: 78974

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A78R7BTG

RN73C2A78R7BTG

ნაწილი საფონდო: 78978

წინააღმდეგობა: 78.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A113KBTG

RN73C2A113KBTG

ნაწილი საფონდო: 78974

წინააღმდეგობა: 113 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A261KBTG

RN73C2A261KBTG

ნაწილი საფონდო: 78910

წინააღმდეგობა: 261 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A12KBTG

RN73C2A12KBTG

ნაწილი საფონდო: 78932

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K05BTG

RN73C2A1K05BTG

ნაწილი საფონდო: 78952

წინააღმდეგობა: 1.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A63R4BTG

RN73C2A63R4BTG

ნაწილი საფონდო: 78908

წინააღმდეგობა: 63.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K54BTG

RN73C2A1K54BTG

ნაწილი საფონდო: 78911

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A33R2BTG

RN73C2A33R2BTG

ნაწილი საფონდო: 78896

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J16R9BTG

RN73C1J16R9BTG

ნაწილი საფონდო: 78895

წინააღმდეგობა: 16.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J143RBTG

RN73C1J143RBTG

ნაწილი საფონდო: 78894

წინააღმდეგობა: 143 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J464RBTG

RN73C1J464RBTG

ნაწილი საფონდო: 78919

წინააღმდეგობა: 464 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J52K3BTG

RN73C1J52K3BTG

ნაწილი საფონდო: 78935

წინააღმდეგობა: 52.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A8R06BTG

RN73C2A8R06BTG

ნაწილი საფონდო: 78974

წინააღმდეგობა: 8.06 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J18R7BTG

RN73C1J18R7BTG

ნაწილი საფონდო: 78973

წინააღმდეგობა: 18.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K69BTG

RN73C2A1K69BTG

ნაწილი საფონდო: 78973

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A2K67BTG

RN73C2A2K67BTG

ნაწილი საფონდო: 78918

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A16K2BTG

RN73C2A16K2BTG

ნაწილი საფონდო: 78887

წინააღმდეგობა: 16.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი