ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RN73C1J1K18BTG

RN73C1J1K18BTG

ნაწილი საფონდო: 78932

წინააღმდეგობა: 1.18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A150KBTG

RN73C2A150KBTG

ნაწილი საფონდო: 78983

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A11R5BTG

RN73C2A11R5BTG

ნაწილი საფონდო: 78909

წინააღმდეგობა: 11.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J287RBTG

RN73C1J287RBTG

ნაწილი საფონდო: 78908

წინააღმდეგობა: 287 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J205RBTG

RN73C1J205RBTG

ნაწილი საფონდო: 78913

წინააღმდეგობა: 205 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J15R8BTG

RN73C1J15R8BTG

ნაწილი საფონდო: 78965

წინააღმდეგობა: 15.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J1K87BTG

RN73C1J1K87BTG

ნაწილი საფონდო: 78886

წინააღმდეგობა: 1.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A499RBTG

RN73C2A499RBTG

ნაწილი საფონდო: 78960

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A6K49BTG

RN73C2A6K49BTG

ნაწილი საფონდო: 78897

წინააღმდეგობა: 6.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A3K4BTG

RN73C2A3K4BTG

ნაწილი საფონდო: 78968

წინააღმდეგობა: 3.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A7K5BTG

RN73C2A7K5BTG

ნაწილი საფონდო: 78911

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A392RBTG

RN73C2A392RBTG

ნაწილი საფონდო: 78940

წინააღმდეგობა: 392 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A27K4BTG

RN73C2A27K4BTG

ნაწილი საფონდო: 78959

წინააღმდეგობა: 27.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A25K5BTG

RN73C2A25K5BTG

ნაწილი საფონდო: 78912

წინააღმდეგობა: 25.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A37K4BTG

RN73C2A37K4BTG

ნაწილი საფონდო: 78947

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A7K87BTG

RN73C2A7K87BTG

ნაწილი საფონდო: 75197

წინააღმდეგობა: 7.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A76R8BTG

RN73C2A76R8BTG

ნაწილი საფონდო: 78902

წინააღმდეგობა: 76.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J46R4BTG

RN73C1J46R4BTG

ნაწილი საფონდო: 78940

წინააღმდეგობა: 46.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J255RBTG

RN73C1J255RBTG

ნაწილი საფონდო: 78896

წინააღმდეგობა: 255 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J115RBTG

RN73C1J115RBTG

ნაწილი საფონდო: 78895

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A402RBTG

RN73C2A402RBTG

ნაწილი საფონდო: 78896

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J32K4BTG

RN73C1J32K4BTG

ნაწილი საფონდო: 78980

წინააღმდეგობა: 32.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J274RBTG

RN73C1J274RBTG

ნაწილი საფონდო: 78951

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
TLR3A10WR010FTDG

TLR3A10WR010FTDG

ნაწილი საფონდო: 106997

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
TLR3A20DR01FTDG

TLR3A20DR01FTDG

ნაწილი საფონდო: 137722

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RQ73C2B274KBTD

RQ73C2B274KBTD

ნაწილი საფონდო: 11277

წინააღმდეგობა: 274 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E226RBTG

RN73C1E226RBTG

ნაწილი საფონდო: 68088

წინააღმდეგობა: 226 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E4K64BTG

RN73C1E4K64BTG

ნაწილი საფონდო: 68131

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RH73W2A50MMTN

RH73W2A50MMTN

ნაწილი საფონდო: 63908

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E11KBTG

RN73C1E11KBTG

ნაწილი საფონდო: 68095

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E9K31BTG

RN73C1E9K31BTG

ნაწილი საფონდო: 68085

წინააღმდეგობა: 9.31 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E90R9BTG

RN73C1E90R9BTG

ნაწილი საფონდო: 68071

წინააღმდეგობა: 90.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E66R5BTG

RN73C1E66R5BTG

ნაწილი საფონდო: 68043

წინააღმდეგობა: 66.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E1K15BTG

RN73C1E1K15BTG

ნაწილი საფონდო: 68090

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E196RBTG

RN73C1E196RBTG

ნაწილი საფონდო: 68054

წინააღმდეგობა: 196 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RH73W2A1GNTN

RH73W2A1GNTN

ნაწილი საფონდო: 85587

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±30%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი