ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RN73C1J37K4BTG

RN73C1J37K4BTG

ნაწილი საფონდო: 75152

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J46K4BTG

RN73C1J46K4BTG

ნაწილი საფონდო: 78981

წინააღმდეგობა: 46.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J26K7BTG

RN73C1J26K7BTG

ნაწილი საფონდო: 78941

წინააღმდეგობა: 26.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J39R2BTG

RN73C1J39R2BTG

ნაწილი საფონდო: 78899

წინააღმდეგობა: 39.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J47K5BTG

RN73C1J47K5BTG

ნაწილი საფონდო: 75139

წინააღმდეგობა: 47.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J169RBTG

RN73C1J169RBTG

ნაწილი საფონდო: 78970

წინააღმდეგობა: 169 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J19K6BTG

RN73C1J19K6BTG

ნაწილი საფონდო: 78984

წინააღმდეგობა: 19.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J4K12BTG

RN73C1J4K12BTG

ნაწილი საფონდო: 75220

წინააღმდეგობა: 4.12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J432RBTG

RN73C1J432RBTG

ნაწილი საფონდო: 78972

წინააღმდეგობა: 432 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J17K8BTG

RN73C1J17K8BTG

ნაწილი საფონდო: 78948

წინააღმდეგობა: 17.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J243RBTG

RN73C1J243RBTG

ნაწილი საფონდო: 78895

წინააღმდეგობა: 243 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J280RBTG

RN73C1J280RBTG

ნაწილი საფონდო: 78923

წინააღმდეგობა: 280 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J887RBTG

RN73C1J887RBTG

ნაწილი საფონდო: 78983

წინააღმდეგობა: 887 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J6K65BTG

RN73C1J6K65BTG

ნაწილი საფონდო: 75200

წინააღმდეგობა: 6.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J16K5BTG

RN73C1J16K5BTG

ნაწილი საფონდო: 78888

წინააღმდეგობა: 16.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J3K92BTG

RN73C1J3K92BTG

ნაწილი საფონდო: 78887

წინააღმდეგობა: 3.92 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J8K87BTG

RN73C1J8K87BTG

ნაწილი საფონდო: 78916

წინააღმდეგობა: 8.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J619RBTG

RN73C1J619RBTG

ნაწილი საფონდო: 78969

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J15K4BTG

RN73C1J15K4BTG

ნაწილი საფონდო: 78900

წინააღმდეგობა: 15.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J42K2BTG

RN73C1J42K2BTG

ნაწილი საფონდო: 78952

წინააღმდეგობა: 42.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J7K5BTG

RN73C1J7K5BTG

ნაწილი საფონდო: 78899

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J6K19BTG

RN73C1J6K19BTG

ნაწილი საფონდო: 78930

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J7K68BTG

RN73C1J7K68BTG

ნაწილი საფონდო: 78899

წინააღმდეგობა: 7.68 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J1K02BTG

RN73C1J1K02BTG

ნაწილი საფონდო: 78971

წინააღმდეგობა: 1.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J150KBTG

RN73C1J150KBTG

ნაწილი საფონდო: 78951

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J43K2BTG

RN73C1J43K2BTG

ნაწილი საფონდო: 78973

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J9K76BTG

RN73C1J9K76BTG

ნაწილი საფონდო: 78940

წინააღმდეგობა: 9.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J6K34BTG

RN73C1J6K34BTG

ნაწილი საფონდო: 75132

წინააღმდეგობა: 6.34 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J6K04BTG

RN73C1J6K04BTG

ნაწილი საფონდო: 78976

წინააღმდეგობა: 6.04 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J150RBTG

RN73C1J150RBTG

ნაწილი საფონდო: 78891

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J348RBTG

RN73C1J348RBTG

ნაწილი საფონდო: 78953

წინააღმდეგობა: 348 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J29K4BTG

RN73C1J29K4BTG

ნაწილი საფონდო: 75173

წინააღმდეგობა: 29.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J27K4BTG

RN73C1J27K4BTG

ნაწილი საფონდო: 75179

წინააღმდეგობა: 27.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A19R6ATD

RN73C2A19R6ATD

ნაწილი საფონდო: 106121

სასურველი
RN73C1J3K65BTG

RN73C1J3K65BTG

ნაწილი საფონდო: 75206

წინააღმდეგობა: 3.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J95K3BTG

RN73C1J95K3BTG

ნაწილი საფონდო: 78894

წინააღმდეგობა: 95.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი