ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RN73C2A78K7BTG

RN73C2A78K7BTG

ნაწილი საფონდო: 78924

წინააღმდეგობა: 78.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J26R7BTG

RN73C1J26R7BTG

ნაწილი საფონდო: 78974

წინააღმდეგობა: 26.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A64K9BTG

RN73C2A64K9BTG

ნაწილი საფონდო: 78964

წინააღმდეგობა: 64.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A13R3BTG

RN73C2A13R3BTG

ნაწილი საფონდო: 78951

წინააღმდეგობა: 13.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A30R1BTG

RN73C2A30R1BTG

ნაწილი საფონდო: 78891

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A124KBTG

RN73C2A124KBTG

ნაწილი საფონდო: 78974

წინააღმდეგობა: 124 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J11R8BTG

RN73C1J11R8BTG

ნაწილი საფონდო: 78886

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
TLRS105040PR001FTDG

TLRS105040PR001FTDG

ნაწილი საფონდო: 77665

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±60ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A26K7BTG

RN73C2A26K7BTG

ნაწილი საფონდო: 75136

წინააღმდეგობა: 26.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A44R2BTG

RN73C2A44R2BTG

ნაწილი საფონდო: 78950

წინააღმდეგობა: 44.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J130RBTG

RN73C1J130RBTG

ნაწილი საფონდო: 78934

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K91BTG

RN73C2A1K91BTG

ნაწილი საფონდო: 78941

წინააღმდეგობა: 1.91 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A16R5BTG

RN73C2A16R5BTG

ნაწილი საფონდო: 78897

წინააღმდეგობა: 16.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J24R3BTG

RN73C1J24R3BTG

ნაწილი საფონდო: 78903

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J5K49BTG

RN73C1J5K49BTG

ნაწილი საფონდო: 78888

წინააღმდეგობა: 5.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J133KBTG

RN73C1J133KBTG

ნაწილი საფონდო: 78941

წინააღმდეგობა: 133 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A11KBTG

RN73C2A11KBTG

ნაწილი საფონდო: 78944

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A127RBTG

RN73C2A127RBTG

ნაწილი საფონდო: 78975

წინააღმდეგობა: 127 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A60K4BTG

RN73C2A60K4BTG

ნაწილი საფონდო: 78923

წინააღმდეგობა: 60.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A499RBTDG

RN73C2A499RBTDG

ნაწილი საფონდო: 78910

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J2K61BTG

RN73C1J2K61BTG

ნაწილი საფონდო: 78916

წინააღმდეგობა: 2.61 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A470KBTG

RN73C2A470KBTG

ნაწილი საფონდო: 78938

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J42R2BTG

RN73C1J42R2BTG

ნაწილი საფონდო: 78902

წინააღმდეგობა: 42.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A3K92BTG

RN73C2A3K92BTG

ნაწილი საფონდო: 78940

წინააღმდეგობა: 3.92 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K43BTG

RN73C2A1K43BTG

ნაწილი საფონდო: 78938

წინააღმდეგობა: 1.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A93R1BTG

RN73C2A93R1BTG

ნაწილი საფონდო: 78983

წინააღმდეგობა: 93.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A110KBTG

RN73C2A110KBTG

ნაწილი საფონდო: 78915

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J2K74BTG

RN73C1J2K74BTG

ნაწილი საფონდო: 78972

წინააღმდეგობა: 2.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A5K1BTG

RN73C2A5K1BTG

ნაწილი საფონდო: 78956

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A5K62BTG

RN73C2A5K62BTG

ნაწილი საფონდო: 78923

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A3K16BTG

RN73C2A3K16BTG

ნაწილი საფონდო: 78961

წინააღმდეგობა: 3.16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K78BTG

RN73C2A1K78BTG

ნაწილი საფონდო: 97987

წინააღმდეგობა: 1.78 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J84R5BTG

RN73C1J84R5BTG

ნაწილი საფონდო: 78942

წინააღმდეგობა: 84.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A18K2BTG

RN73C2A18K2BTG

ნაწილი საფონდო: 78964

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J137RBTG

RN73C1J137RBTG

ნაწილი საფონდო: 78950

წინააღმდეგობა: 137 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A17K4BTG

RN73C2A17K4BTG

ნაწილი საფონდო: 78923

წინააღმდეგობა: 17.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი