კერამიკული კონდენსატორები

C0603CH1H330J030BA

C0603CH1H330J030BA

ნაწილი საფონდო: 137745

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C040B

C0402C0G1C040B

ნაწილი საფონდო: 740

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2NP01H390J080AA

CGA3E2NP01H390J080AA

ნაწილი საფონდო: 173893

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C3225NP01H104J250AA

C3225NP01H104J250AA

ნაწილი საფონდო: 123324

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C0402X7R1A102K020BC

C0402X7R1A102K020BC

ნაწილი საფონდო: 124930

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4F4X7T2W103M085AA

CGA4F4X7T2W103M085AA

ნაწილი საფონდო: 4138

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005C0G1H330J/50

C1005C0G1H330J/50

ნაწილი საფონდო: 165596

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012X5R2E103K125AA

C2012X5R2E103K125AA

ნაწილი საფონდო: 161273

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C1608CH1H820J080AA

C1608CH1H820J080AA

ნაწილი საფონდო: 114955

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G1H120J/50

C1005C0G1H120J/50

ნაწილი საფონდო: 106918

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C4532X5R1A226M230KA

C4532X5R1A226M230KA

ნაწილი საფონდო: 196984

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012C0G1H182J/0.85

C2012C0G1H182J/0.85

ნაწილი საფონდო: 2534

ტევადობა: 1800pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005C0G1H101J/50

C1005C0G1H101J/50

ნაწილი საფონდო: 151519

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X8R2A331K050BA

C1005X8R2A331K050BA

ნაწილი საფონდო: 159506

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1005C0G1H271J/50

C1005C0G1H271J/50

ნაწილი საფონდო: 183603

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1632X5R1H104M070AC

C1632X5R1H104M070AC

ნაწილი საფონდო: 183409

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
CGA5H2C0G1H223J

CGA5H2C0G1H223J

ნაწილი საფონდო: 1294

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005C0G1H100D/50

C1005C0G1H100D/50

ნაწილი საფონდო: 127930

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005C0G1H270J/50

C1005C0G1H270J/50

ნაწილი საფონდო: 199481

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216C0G2J472K085AA

C3216C0G2J472K085AA

ნაწილი საფონდო: 194756

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CKCA43X7R1H102K100AA

CKCA43X7R1H102K100AA

ნაწილი საფონდო: 10045

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H122K080AA

C1608C0G1H122K080AA

ნაწილი საფონდო: 137206

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X7R1C474KT0Y9N

C2012X7R1C474KT0Y9N

ნაწილი საფონდო: 5411

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2C0G2A3R3C080AD

CGA3E2C0G2A3R3C080AD

ნაწილი საფონდო: 144990

ტევადობა: 3.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C1608CH2A120J080AA

C1608CH2A120J080AA

ნაწილი საფონდო: 137272

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C3225JB1H475K250AB

C3225JB1H475K250AB

ნაწილი საფონდო: 127857

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X7T2V333K125AA

C2012X7T2V333K125AA

ნაწილი საფონდო: 109059

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 350V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C470G

C0402C0G1C470G

ნაწილი საფონდო: 171

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X7R1V334K080AB

C1608X7R1V334K080AB

ნაწილი საფონდო: 167644

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G1H220J/50

C1005C0G1H220J/50

ნაწილი საფონდო: 147603

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X8R2A221K050BA

C1005X8R2A221K050BA

ნაწილი საფონდო: 150250

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
CGA3E2X5R1H682M080AA

CGA3E2X5R1H682M080AA

ნაწილი საფონდო: 110031

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005CH1H1R5B050BA

C1005CH1H1R5B050BA

ნაწილი საფონდო: 126165

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G1H181J/50

C1005C0G1H181J/50

ნაწილი საფონდო: 178530

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012X5R1H334M125AA

C2012X5R1H334M125AA

ნაწილი საფონდო: 166283

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G1H180J/50

C1005C0G1H180J/50

ნაწილი საფონდო: 110543

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი