კერამიკული კონდენსატორები

C2012X7S0G106K085AC

C2012X7S0G106K085AC

ნაწილი საფონდო: 123396

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB1E334M080AC

C1608JB1E334M080AC

ნაწილი საფონდო: 142768

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X5R1C335M/1.60

C3216X5R1C335M/1.60

ნაწილი საფონდო: 1233

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
CK45-B3AD681KYNRA

CK45-B3AD681KYNRA

ნაწილი საფონდო: 7641

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C3216C0G2E103K115AA

C3216C0G2E103K115AA

ნაწილი საფონდო: 185481

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H101J/10

C1608C0G1H101J/10

ნაწილი საფონდო: 121807

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGJ2B2C0G1H020C050BA

CGJ2B2C0G1H020C050BA

ნაწილი საფონდო: 162952

ტევადობა: 2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X5R1C335K/1.60

C3216X5R1C335K/1.60

ნაწილი საფონდო: 129

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C2012C0G2W821K060AA

C2012C0G2W821K060AA

ნაწილი საფონდო: 113198

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-B3AD222KYNRA

CK45-B3AD222KYNRA

ნაწილი საფონდო: 2317

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
CGA5F2X8R1E474K

CGA5F2X8R1E474K

ნაწილი საფონდო: 9660

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1608X7R1A334M

C1608X7R1A334M

ნაწილი საფონდო: 2278

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012X5R1A225M/1.25

C2012X5R1A225M/1.25

ნაწილი საფონდო: 1202

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
CGA4J2X7R2A333K125AA

CGA4J2X7R2A333K125AA

ნაწილი საფონდო: 161614

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H100D/10

C1608C0G1H100D/10

ნაწილი საფონდო: 164734

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X5R1C225M/1.60

C3216X5R1C225M/1.60

ნაწილი საფონდო: 2487

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
CK45-B3AD221KYNRA

CK45-B3AD221KYNRA

ნაწილი საფონდო: 5528

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C2012C0G2W391J060AA

C2012C0G2W391J060AA

ნაწილი საფონდო: 194144

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C4520C0G3F390K160KA

C4520C0G3F390K160KA

ნაწილი საფონდო: 155846

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C1005Y5V1C104Z/50

C1005Y5V1C104Z/50

ნაწილი საფონდო: 4031

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C0603JB1A104M030BC

C0603JB1A104M030BC

ნაწილი საფონდო: 139026

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012C0G2E103K125AA

C2012C0G2E103K125AA

ნაწილი საფონდო: 160228

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-B3AD103KYNNA

CK45-B3AD103KYNNA

ნაწილი საფონდო: 9678

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
CGA3E2C0G1H120J080AD

CGA3E2C0G1H120J080AD

ნაწილი საფონდო: 108441

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C0603C0G1E4R5B030BG

C0603C0G1E4R5B030BG

ნაწილი საფონდო: 158

ტევადობა: 4.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C1005X7R1H472K/50

C1005X7R1H472K/50

ნაწილი საფონდო: 194419

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-B3AD102KYNRA

CK45-B3AD102KYNRA

ნაწილი საფონდო: 8998

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C2012C0G2A103K125AA

C2012C0G2A103K125AA

ნაწილი საფონდო: 117834

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005C0G1H020C050BA

C1005C0G1H020C050BA

ნაწილი საფონდო: 167330

ტევადობა: 2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4J3X7T2E473K125AA

CGA4J3X7T2E473K125AA

ნაწილი საფონდო: 167582

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X7R1H471K/50

C1005X7R1H471K/50

ნაწილი საფონდო: 165197

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012C0G2W331K060AA

C2012C0G2W331K060AA

ნაწილი საფონდო: 179546

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1H3R3B

C0603C0G1H3R3B

ნაწილი საფონდო: 265

ტევადობა: 3.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CC45SL3FD471JYNNA

CC45SL3FD471JYNNA

ნაწილი საფონდო: 1828

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
C1608C0G2E122K080AA

C1608C0G2E122K080AA

ნაწილი საფონდო: 153591

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2X5R1H473K080AA

CGA3E2X5R1H473K080AA

ნაწილი საფონდო: 159565

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი