კერამიკული კონდენსატორები

C1608NP02A181J080AA

C1608NP02A181J080AA

ნაწილი საფონდო: 146181

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C0603X5R1E101K030BA

C0603X5R1E101K030BA

ნაწილი საფონდო: 109197

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E5R1B030BG

C0603C0G1E5R1B030BG

ნაწილი საფონდო: 8531

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C0603C0G1E3R9C

C0603C0G1E3R9C

ნაწილი საფონდო: 3180

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H222J/10

C1608C0G1H222J/10

ნაწილი საფონდო: 137866

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E1R1C030BF

C0603C0G1E1R1C030BF

ნაწილი საფონდო: 4824

ტევადობა: 1.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C0603C0G1E090B030BG

C0603C0G1E090B030BG

ნაწილი საფონდო: 1146

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C0603C0G1E3R9B

C0603C0G1E3R9B

ნაწილი საფონდო: 7546

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H221J/10

C1608C0G1H221J/10

ნაწილი საფონდო: 115091

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H220J/10

C1608C0G1H220J/10

ნაწილი საფონდო: 113857

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402X5R0J104M020BC

C0402X5R0J104M020BC

ნაწილი საფონდო: 182531

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G1H471G050BA

C1005C0G1H471G050BA

ნაწილი საფონდო: 189362

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E2R4C

C0603C0G1E2R4C

ნაწილი საფონდო: 5679

ტევადობა: 2.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H182J/10

C1608C0G1H182J/10

ნაწილი საფონდო: 133802

ტევადობა: 1800pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-R3AD332K-VRA

CK45-R3AD332K-VRA

ნაწილი საფონდო: 9943

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
C1005X5R1C223K050BA

C1005X5R1C223K050BA

ნაწილი საფონდო: 133267

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E2R2B

C0603C0G1E2R2B

ნაწილი საფონდო: 9351

ტევადობა: 2.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2X8R1H153K080AD

CGA3E2X8R1H153K080AD

ნაწილი საფონდო: 190546

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C0603C0G1E6R2D

C0603C0G1E6R2D

ნაწილი საფონდო: 7037

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H181J/10

C1608C0G1H181J/10

ნაწილი საფონდო: 194979

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-R3DD472K-NRA

CK45-R3DD472K-NRA

ნაწილი საფონდო: 3611

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
C1005X7R1H681M050BA

C1005X7R1H681M050BA

ნაწილი საფონდო: 156801

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X6S1C475K125AC

C2012X6S1C475K125AC

ნაწილი საფონდო: 188360

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402X7R1A101K020BC

C0402X7R1A101K020BC

ნაწილი საფონდო: 119011

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E020B

C0603C0G1E020B

ნაწილი საფონდო: 2984

ტევადობა: 2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X7R1H683M050BB

C1005X7R1H683M050BB

ნაწილი საფონდო: 125159

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608C0G1H180J/10

C1608C0G1H180J/10

ნაწილი საფონდო: 104344

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-R3DD332K-NRA

CK45-R3DD332K-NRA

ნაწილი საფონდო: 2395

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
C5750CH2J104K280KC

C5750CH2J104K280KC

ნაწილი საფონდო: 54078

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C0603C0G1E1R5B

C0603C0G1E1R5B

ნაწილი საფონდო: 7609

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGJ2B2C0G1H070D050BA

CGJ2B2C0G1H070D050BA

ნაწილი საფონდო: 120244

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H152J/10

C1608C0G1H152J/10

ნაწილი საფონდო: 129338

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CLLE1AX7S1A154M050AC

CLLE1AX7S1A154M050AC

ნაწილი საფონდო: 191276

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
CK45-R3AD472K-NRA

CK45-R3AD472K-NRA

ნაწილი საფონდო: 781

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
C0402C0G1C3R9C

C0402C0G1C3R9C

ნაწილი საფონდო: 3248

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E1R2C

C0603C0G1E1R2C

ნაწილი საფონდო: 7795

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი