კერამიკული კონდენსატორები

C2012SL1A473J

C2012SL1A473J

ნაწილი საფონდო: 8405

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005CH1H221J050BA

C1005CH1H221J050BA

ნაწილი საფონდო: 174002

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CEU4J2X7R2A152K125AE

CEU4J2X7R2A152K125AE

ნაწილი საფონდო: 163600

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C2012X7R2A332K085AA

C2012X7R2A332K085AA

ნაწილი საფონდო: 163179

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E1R5C030BF

C0603C0G1E1R5C030BF

ნაწილი საფონდო: 4803

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C1005C0G1H561K050BA

C1005C0G1H561K050BA

ნაწილი საფონდო: 174381

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X7R2A682K080AA

C1608X7R2A682K080AA

ნაწილი საფონდო: 140867

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C5750X7R1H475M280KA

C5750X7R1H475M280KA

ნაწილი საფონდო: 87075

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608NP02A820J080AA

C1608NP02A820J080AA

ნაწილი საფონდო: 155927

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
CGA6L2NP01H333J160AA

CGA6L2NP01H333J160AA

ნაწილი საფონდო: 164042

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1608CH1H102K080AA

C1608CH1H102K080AA

ნაწილი საფონდო: 199435

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CEU4J2X7R2A682M125AE

CEU4J2X7R2A682M125AE

ნაწილი საფონდო: 123594

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C1608X7R2A332K080AA

C1608X7R2A332K080AA

ნაწილი საფონდო: 147435

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C5750X7R1H685M250KA

C5750X7R1H685M250KA

ნაწილი საფონდო: 87039

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X7R2A152K080AA

C1608X7R2A152K080AA

ნაწილი საფონდო: 123085

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CD80ZU2GA152MYVKA

CD80ZU2GA152MYVKA

ნაწილი საფონდო: 150266

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Z5U, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C1632X7R1E224M070AC

C1632X7R1E224M070AC

ნაწილი საფონდო: 182109

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
C0603C0G1E3R1B030BG

C0603C0G1E3R1B030BG

ნაწილი საფონდო: 7373

ტევადობა: 3.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C3225X5R0J226M200AA

C3225X5R0J226M200AA

ნაწილი საფონდო: 162945

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ4J2X7R1C334K125AA

CGJ4J2X7R1C334K125AA

ნაწილი საფონდო: 124318

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X7R1C105K080AC

C1608X7R1C105K080AC

ნაწილი საფონდო: 176124

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C4532NP02A104J320KA

C4532NP02A104J320KA

ნაწილი საფონდო: 87110

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C2012C0G2W271K060AA

C2012C0G2W271K060AA

ნაწილი საფონდო: 194145

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CD70ZU2GA102MYVKA

CD70ZU2GA102MYVKA

ნაწილი საფონდო: 104639

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Z5U, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
CEU4J2X7R1H333K125AE

CEU4J2X7R1H333K125AE

ნაწილი საფონდო: 184334

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
CGA3E2X7R2A153M080AA

CGA3E2X7R2A153M080AA

ნაწილი საფონდო: 134589

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608CH2A271J080AA

C1608CH2A271J080AA

ნაწილი საფონდო: 125507

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
CD70-B2GA221KYVKA

CD70-B2GA221KYVKA

ნაწილი საფონდო: 189190

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
CGJ2B2C0G1H470J050BA

CGJ2B2C0G1H470J050BA

ნაწილი საფონდო: 142520

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608CH2A221K080AA

C1608CH2A221K080AA

ნაწილი საფონდო: 149838

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C0603C0G1H150K030BA

C0603C0G1H150K030BA

ნაწილი საფონდო: 141409

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ4C2C0G2A391J060AA

CGJ4C2C0G2A391J060AA

ნაწილი საფონდო: 149612

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CD70-B2GA151KYVKA

CD70-B2GA151KYVKA

ნაწილი საფონდო: 147193

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C3216X6S1A685K085AB

C3216X6S1A685K085AB

ნაწილი საფონდო: 134244

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X6S0J106K160AC

C3216X6S0J106K160AC

ნაწილი საფონდო: 126303

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X5R1H333M050BB

C1005X5R1H333M050BB

ნაწილი საფონდო: 102714

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი