კერამიკული კონდენსატორები

CLLE1AX7S0G105M050AC

CLLE1AX7S0G105M050AC

ნაწილი საფონდო: 109231

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
C0402C0G1C6R2D

C0402C0G1C6R2D

ნაწილი საფონდო: 3057

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CKG57NX7R1E107M500JH

CKG57NX7R1E107M500JH

ნაწილი საფონდო: 35257

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X7R1E474M/0.85

C3216X7R1E474M/0.85

ნაწილი საფონდო: 3372

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G2A560J080AA

C1608C0G2A560J080AA

ნაწილი საფონდო: 145300

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X7R1E474K/0.85

C3216X7R1E474K/0.85

ნაწილი საფონდო: 7313

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA6M2X7R2A334K200AA

CGA6M2X7R2A334K200AA

ნაწილი საფონდო: 147755

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA2B2X8R1H151M050BA

CGA2B2X8R1H151M050BA

ნაწილი საფონდო: 175689

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C3216X7R1E334K

C3216X7R1E334K

ნაწილი საფონდო: 467

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E150J030BA

C0603C0G1E150J030BA

ნაწილი საფონდო: 173431

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X6S1E225M125AC

C2012X6S1E225M125AC

ნაწილი საფონდო: 154702

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X7R1E224M

C3216X7R1E224M

ნაწილი საფონდო: 2490

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C060C

C0402C0G1C060C

ნაწილი საფონდო: 5888

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603X7S1A223K030BC

C0603X7S1A223K030BC

ნაწილი საფონდო: 186926

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X7R1E224K

C3216X7R1E224K

ნაწილი საფონდო: 7761

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005JB1H683M050BB

C1005JB1H683M050BB

ნაწილი საფონდო: 111857

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216C0G1H822J/0.85

C3216C0G1H822J/0.85

ნაწილი საფონდო: 3244

ტევადობა: 8200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X8R2A333M085AA

C3216X8R2A333M085AA

ნაწილი საფონდო: 168491

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C3216X7R1H105M160AB

C3216X7R1H105M160AB

ნაწილი საფონდო: 103786

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608NP02A6R8D080AA

C1608NP02A6R8D080AA

ნაწილი საფონდო: 188634

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
CD85-B2GA471KYVKA

CD85-B2GA471KYVKA

ნაწილი საფონდო: 140655

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
CD75-B2GA331KYVKA

CD75-B2GA331KYVKA

ნაწილი საფონდო: 191897

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C3216X7R1H334M160AA

C3216X7R1H334M160AA

ნაწილი საფონდო: 151766

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C620G

C0402C0G1C620G

ნაწილი საფონდო: 4351

ტევადობა: 62pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C330G

C0402C0G1C330G

ნაწილი საფონდო: 723

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X7R1H334K160AA

C3216X7R1H334K160AA

ნაწილი საფონდო: 136095

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X7R1H104M

C3216X7R1H104M

ნაწილი საფონდო: 6451

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA2B2X5R1H222M050BA

CGA2B2X5R1H222M050BA

ნაწილი საფონდო: 130605

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C3216C0G2J182K115AA

C3216C0G2J182K115AA

ნაწილი საფონდო: 196618

ტევადობა: 1800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603CH1E180K030BA

C0603CH1E180K030BA

ნაწილი საფონდო: 156519

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X7R1H104K

C3216X7R1H104K

ნაწილი საფონდო: 8865

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2NP01H561J080AA

CGA3E2NP01H561J080AA

ნაწილი საფონდო: 140565

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C0402X5R1C331M020BC

C0402X5R1C331M020BC

ნაწილი საფონდო: 177473

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X7R1H682K080AD

CGA3E2X7R1H682K080AD

ნაწილი საფონდო: 160128

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C3216C0G1H562J/0.85

C3216C0G1H562J/0.85

ნაწილი საფონდო: 1772

ტევადობა: 5600pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E0R4W

C0603C0G1E0R4W

ნაწილი საფონდო: 2011

ტევადობა: 0.4pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი