კერამიკული კონდენსატორები

C1005X5R0J684K050BB

C1005X5R0J684K050BB

ნაწილი საფონდო: 133479

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X5R1H473M080AA

CGA3E2X5R1H473M080AA

ნაწილი საფონდო: 191133

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005X5R1H332K050BA

C1005X5R1H332K050BA

ნაწილი საფონდო: 122738

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G2A821J050BC

C1005C0G2A821J050BC

ნაწილი საფონდო: 122336

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X7R1E683K050BB

C1005X7R1E683K050BB

ნაწილი საფონდო: 121701

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X5R1A105K050BB

C1005X5R1A105K050BB

ნაწილი საფონდო: 8885

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C910G

C0402C0G1C910G

ნაწილი საფონდო: 9805

ტევადობა: 91pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C390G

C0402C0G1C390G

ნაწილი საფონდო: 1711

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402X7R0G681M020BC

C0402X7R0G681M020BC

ნაწილი საფონდო: 177216

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603X7R1C472M030BA

C0603X7R1C472M030BA

ნაწილი საფონდო: 111390

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA5C2C0G1H822J060AA

CGA5C2C0G1H822J060AA

ნაწილი საფონდო: 103455

ტევადობა: 8200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA4J3X7T2E333M125AA

CGA4J3X7T2E333M125AA

ნაწილი საფონდო: 182443

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGJ2B2X7R1C333K050BA

CGJ2B2X7R1C333K050BA

ნაწილი საფონდო: 158617

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C300G

C0402C0G1C300G

ნაწილი საფონდო: 4994

ტევადობა: 30pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E0R8B030BF

C0603C0G1E0R8B030BF

ნაწილი საფონდო: 6319

ტევადობა: 0.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
CGA3E2X5R1H682K080AA

CGA3E2X5R1H682K080AA

ნაწილი საფონდო: 106961

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005X5R1E333M050BA

C1005X5R1E333M050BA

ნაწილი საფონდო: 189803

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C130G

C0402C0G1C130G

ნაწილი საფონდო: 9959

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
CGA4F2X7R2A222K

CGA4F2X7R2A222K

ნაწილი საფონდო: 7886

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012C0G2E272K125AA

C2012C0G2E272K125AA

ნაწილი საფონდო: 151429

ტევადობა: 2700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA8L2X7R1H225K160KA

CGA8L2X7R1H225K160KA

ნაწილი საფონდო: 182043

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603X7R1E332M030BA

C0603X7R1E332M030BA

ნაწილი საფონდო: 194166

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R0J106K125AB

C2012X5R0J106K125AB

ნაწილი საფონდო: 3203

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2NP02A560J080AA

CGA3E2NP02A560J080AA

ნაწილი საფონდო: 122630

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1608JB1V224K080AB

C1608JB1V224K080AB

ნაწილი საფონდო: 178053

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402X7R1A331K020BC

C0402X7R1A331K020BC

ნაწილი საფონდო: 108953

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E4R3C

C0603C0G1E4R3C

ნაწილი საფონდო: 5129

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1632X7R0J105M070AC

C1632X7R0J105M070AC

ნაწილი საფონდო: 137679

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
C0402C0G1C2R7C

C0402C0G1C2R7C

ნაწილი საფონდო: 1457

ტევადობა: 2.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CKG57NX5R2A106M500JJ

CKG57NX5R2A106M500JJ

ნაწილი საფონდო: 25552

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL (Stacked),

სასურველი
C2012X5R1H154M085AA

C2012X5R1H154M085AA

ნაწილი საფონდო: 116700

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1632X5R0J106M130AC

C1632X5R0J106M130AC

ნაწილი საფონდო: 188111

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
C1005CH1H561J050BA

C1005CH1H561J050BA

ნაწილი საფონდო: 123472

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C1R3B

C0402C0G1C1R3B

ნაწილი საფონდო: 5389

ტევადობა: 1.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0816X7S0G474K

C0816X7S0G474K

ნაწილი საფონდო: 4403

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
C1608X7R1H153M080AA

C1608X7R1H153M080AA

ნაწილი საფონდო: 107102

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი