კერამიკული კონდენსატორები

C3216C0G2J561J085AA

C3216C0G2J561J085AA

ნაწილი საფონდო: 139206

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA6N2NP02A473J230AA

CGA6N2NP02A473J230AA

ნაწილი საფონდო: 126850

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1005X5R1H682M050BA

C1005X5R1H682M050BA

ნაწილი საფონდო: 148687

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X7R1H153K080AD

CGA3E2X7R1H153K080AD

ნაწილი საფონდო: 114968

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C3216C0G2J271J060AA

C3216C0G2J271J060AA

ნაწილი საფონდო: 158391

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216C0G2J121J060AA

C3216C0G2J121J060AA

ნაწილი საფონდო: 111916

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X7S1A684K050BC

C1005X7S1A684K050BC

ნაწილი საფონდო: 167853

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E0R5W

C0603C0G1E0R5W

ნაწილი საფონდო: 9761

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005CH2A561K050BC

C1005CH2A561K050BC

ნაწილი საფონდო: 123037

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C2012C0G2E101J

C2012C0G2E101J

ნაწილი საფონდო: 5036

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012NP02W561J060AA

C2012NP02W561J060AA

ნაწილი საფონდო: 146293

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1005CH2A561J050BC

C1005CH2A561J050BC

ნაწილი საფონდო: 110325

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
CGJ5L3X7R2D333K160AA

CGJ5L3X7R2D333K160AA

ნაწილი საფონდო: 187602

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C5750X7R2J224K230KM

C5750X7R2J224K230KM

ნაწილი საფონდო: 154196

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012C0G2A471J

C2012C0G2A471J

ნაწილი საფონდო: 7257

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005JB1E684K050BC

C1005JB1E684K050BC

ნაწილი საფონდო: 138587

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216C0G1H333J/1.60

C3216C0G1H333J/1.60

ნაწილი საფონდო: 2369

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA4F3X7R2E102K

CGA4F3X7R2E102K

ნაწილი საფონდო: 1509

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E1R6B

C0603C0G1E1R6B

ნაწილი საფონდო: 1153

ტევადობა: 1.6pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216C0G2A683K160AC

C3216C0G2A683K160AC

ნაწილი საფონდო: 100159

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012C0G2A221J

C2012C0G2A221J

ნაწილი საფონდო: 1948

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA5L3X5R1H335K160AB

CGA5L3X5R1H335K160AB

ნაწილი საფონდო: 167123

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C1608C0G2A103K080AC

C1608C0G2A103K080AC

ნაწილი საფონდო: 196054

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012C0G2A101J

C2012C0G2A101J

ნაწილი საფონდო: 9239

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA4C4C0G2W821J060AA

CGA4C4C0G2W821J060AA

ნაწილი საფონდო: 134897

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA4J2X8R1H683K125AE

CGA4J2X8R1H683K125AE

ნაწილი საფონდო: 111084

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C1608C0G2A562K080AC

C1608C0G2A562K080AC

ნაწილი საფონდო: 134307

ტევადობა: 5600pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216C0G2J103K160AA

C3216C0G2J103K160AA

ნაწილი საფონდო: 191980

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G2E391J080AA

C1608C0G2E391J080AA

ნაწილი საფონდო: 167306

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012NP02W181J060AA

C2012NP02W181J060AA

ნაწილი საფონდო: 122879

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C2012X5R0J225M085AA

C2012X5R0J225M085AA

ნაწილი საფონდო: 109668

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G2A102K050BC

C1005C0G2A102K050BC

ნაწილი საფონდო: 149783

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G2E181J080AA

C1608C0G2E181J080AA

ნაწილი საფონდო: 132230

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005JB1E683K050BC

C1005JB1E683K050BC

ნაწილი საფონდო: 113279

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G2A561K050BC

C1005C0G2A561K050BC

ნაწილი საფონდო: 150015

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402X5R1A152K020BC

C0402X5R1A152K020BC

ნაწილი საფონდო: 110138

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი