კერამიკული კონდენსატორები

C0816X5R0J474K

C0816X5R0J474K

ნაწილი საფონდო: 1983

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
C0603JB1E221K030BA

C0603JB1E221K030BA

ნაწილი საფონდო: 148929

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA2B2C0G1H391J050BD

CGA2B2C0G1H391J050BD

ნაწილი საფონდო: 124702

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
CGA4C4NP02W271J060AA

CGA4C4NP02W271J060AA

ნაწილი საფონდო: 168261

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
CGJ5C4C0G2H181J060AA

CGJ5C4C0G2H181J060AA

ნაწილი საფონდო: 197222

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X5R0J226K/1.6

C3216X5R0J226K/1.6

ნაწილი საფონდო: 2641

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0402C0G1C120G

C0402C0G1C120G

ნაწილი საფონდო: 2037

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C3216X5R0J156M

C3216X5R0J156M

ნაწილი საფონდო: 6918

ტევადობა: 15µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0402X5R1C151M020BC

C0402X5R1C151M020BC

ნაწილი საფონდო: 131116

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603X7R0J103M030BC

C0603X7R0J103M030BC

ნაწილი საფონდო: 176836

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB1A475M080AB

C1608JB1A475M080AB

ნაწილი საფონდო: 102390

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E6R2C030BG

C0603C0G1E6R2C030BG

ნაწილი საფონდო: 5199

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
CGJ3E3C0G2D181J080AA

CGJ3E3C0G2D181J080AA

ნაწილი საფონდო: 176575

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X5R1A106K160AB

C3216X5R1A106K160AB

ნაწილი საფონდო: 4168

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X5R1H472M080AA

CGA3E2X5R1H472M080AA

ნაწილი საფონდო: 147843

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
CGJ3E3C0G2D561J080AA

CGJ3E3C0G2D561J080AA

ნაწილი საფონდო: 115127

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005CH1H681K050BA

C1005CH1H681K050BA

ნაწილი საფონდო: 176524

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X7S1A105K050BC

C1005X7S1A105K050BC

ნაწილი საფონდო: 113948

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X5R1A335K/1.15

C3216X5R1A335K/1.15

ნაწილი საფონდო: 469

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C3216X7R2E333K160AA

C3216X7R2E333K160AA

ნაწილი საფონდო: 125724

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X6S1C105K050BC

C1005X6S1C105K050BC

ნაწილი საფონდო: 146177

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216C0G2A153K115AA

C3216C0G2A153K115AA

ნაწილი საფონდო: 102154

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X5R1A225K/1.15

C3216X5R1A225K/1.15

ნაწილი საფონდო: 3620

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0402X6S0J331K020BC

C0402X6S0J331K020BC

ნაწილი საფონდო: 117819

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G1H681G050BA

C1005C0G1H681G050BA

ნაწილი საფონდო: 116977

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012C0G1H272K060AA

C2012C0G1H272K060AA

ნაწილი საფონდო: 113504

ტევადობა: 2700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R1E226M125AC

C2012X5R1E226M125AC

ნაწილი საფონდო: 102051

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E390J030BA

C0603C0G1E390J030BA

ნაწილი საფონდო: 164597

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X5R1C475M/1.60

C3216X5R1C475M/1.60

ნაწილი საფონდო: 1294

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005X7S0J105K050BC

C1005X7S0J105K050BC

ნაწილი საფონდო: 160587

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB1V683M050BB

C1005JB1V683M050BB

ნაწილი საფონდო: 137222

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X5R1C475K/1.60

C3216X5R1C475K/1.60

ნაწილი საფონდო: 1177

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005X7S1A105M050BC

C1005X7S1A105M050BC

ნაწილი საფონდო: 102288

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X5R1C225K/1.60

C3216X5R1C225K/1.60

ნაწილი საფონდო: 3512

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0402C0G1C020C020BC

C0402C0G1C020C020BC

ნაწილი საფონდო: 148414

ტევადობა: 2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X6S1C105M050BC

C1005X6S1C105M050BC

ნაწილი საფონდო: 149951

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი