ფიქსირებული ინდუქტორები

NRG4026T2R3N

NRG4026T2R3N

ნაწილი საფონდო: 153830

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.97A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,

სასურველი
LHL06NB4R7K

LHL06NB4R7K

ნაწილი საფონდო: 7753

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 510mA,

სასურველი
LHL06TB100K

LHL06TB100K

ნაწილი საფონდო: 7737

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,

სასურველი
N08DPA150K

N08DPA150K

ნაწილი საფონდო: 7724

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A,

სასურველი
NP06DB220M

NP06DB220M

ნაწილი საფონდო: 7714

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
LHF15BB472J

LHF15BB472J

ნაწილი საფონდო: 7737

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
NP04SB150M

NP04SB150M

ნაწილი საფონდო: 7729

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 620mA,

სასურველი
LAL02NA470K

LAL02NA470K

ნაწილი საფონდო: 7622

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
LAN02TA270J

LAN02TA270J

ნაწილი საფონდო: 7693

ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
LAL03TA2R2M

LAL03TA2R2M

ნაწილი საფონდო: 7683

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
LAL03KH1R5M

LAL03KH1R5M

ნაწილი საფონდო: 7662

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAN02TA330J

LAN02TA330J

ნაწილი საფონდო: 7665

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
LAL02TB680J

LAL02TB680J

ნაწილი საფონდო: 7691

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 64mA,

სასურველი
LHLZ06TB680K

LHLZ06TB680K

ნაწილი საფონდო: 9809

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 710mA,

სასურველი
LHL06NB392J

LHL06NB392J

ნაწილი საფონდო: 7711

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.9mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი
LAL03KH1R2M

LAL03KH1R2M

ნაწილი საფონდო: 7686

ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
LAP02TA1R2K

LAP02TA1R2K

ნაწილი საფონდო: 7697

ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
NR6012T100M

NR6012T100M

ნაწილი საფონდო: 7603

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
LAL04KB220K

LAL04KB220K

ნაწილი საფონდო: 7631

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,

სასურველი
LHL06TB330K

LHL06TB330K

ნაწილი საფონდო: 7756

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
LAN02KR151J

LAN02KR151J

ნაწილი საფონდო: 7655

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 85mA,

სასურველი
N08DPA681K

N08DPA681K

ნაწილი საფონდო: 7742

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
LAL04NA561K

LAL04NA561K

ნაწილი საფონდო: 7677

ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
LAV35VB151J

LAV35VB151J

ნაწილი საფონდო: 7686

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
LAP02TA1R5K

LAP02TA1R5K

ნაწილი საფონდო: 7732

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAL04SKR82M

LAL04SKR82M

ნაწილი საფონდო: 7719

ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 980mA,

სასურველი
LAL03TA271K

LAL03TA271K

ნაწილი საფონდო: 7679

ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,

სასურველი
LEM2520TR68J

LEM2520TR68J

ნაწილი საფონდო: 7681

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
LAL03NA2R7M

LAL03NA2R7M

ნაწილი საფონდო: 9799

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
LAL03TB1R0M

LAL03TB1R0M

ნაწილი საფონდო: 7670

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
LAP02TA560K

LAP02TA560K

ნაწილი საფონდო: 9851

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 68mA,

სასურველი
LHL06TB3R9K

LHL06TB3R9K

ნაწილი საფონდო: 7716

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA,

სასურველი
LEM2520TR15J

LEM2520TR15J

ნაწილი საფონდო: 7752

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA,

სასურველი
LAL04KB331K

LAL04KB331K

ნაწილი საფონდო: 7708

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 137mA,

სასურველი
LHL16TB101K

LHL16TB101K

ნაწილი საფონდო: 7693

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A,

სასურველი
LAL04NA820K

LAL04NA820K

ნაწილი საფონდო: 7696

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი