ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 20nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA, მიმდინარე - სატურაცია: 590mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA, მიმდინარე - სატურაცია: 240mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA, მიმდინარე - სატურაცია: 90mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA, მიმდინარე - სატურაცია: 140mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA, მიმდინარე - სატურაცია: 320mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA, მიმდინარე - სატურაცია: 130mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 710mA, მიმდინარე - სატურაცია: 790mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 870mA, მიმდინარე - სატურაცია: 890mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA, მიმდინარე - სატურაცია: 170mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA, მიმდინარე - სატურაცია: 95mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA, მიმდინარე - სატურაცია: 290mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA, მიმდინარე - სატურაცია: 370mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.6A,
