ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA, მიმდინარე - სატურაცია: 150mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 870mA, მიმდინარე - სატურაცია: 890mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA, მიმდინარე - სატურაცია: 220mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 710mA, მიმდინარე - სატურაცია: 790mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA, მიმდინარე - სატურაცია: 620mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 920mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA, მიმდინარე - სატურაცია: 100mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA, მიმდინარე - სატურაცია: 110mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA, მიმდინარე - სატურაცია: 290mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA, მიმდინარე - სატურაცია: 80mA,
