ფიქსირებული ინდუქტორები

LAL03NA1R8M

LAL03NA1R8M

ნაწილი საფონდო: 7634

ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
LAP02TA3R9K

LAP02TA3R9K

ნაწილი საფონდო: 7708

ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
NR6012T220M

NR6012T220M

ნაწილი საფონდო: 7622

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA, მიმდინარე - სატურაცია: 760mA,

სასურველი
LEMF2520T150K

LEMF2520T150K

ნაწილი საფონდო: 7752

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
LAL02VD2R2K

LAL02VD2R2K

ნაწილი საფონდო: 7692

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
LAL04SK471K

LAL04SK471K

ნაწილი საფონდო: 7649

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 126mA,

სასურველი
LHL06NB681K

LHL06NB681K

ნაწილი საფონდო: 7700

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
LAL04KB2R2M

LAL04KB2R2M

ნაწილი საფონდო: 7673

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
LAL03KH121K

LAL03KH121K

ნაწილი საფონდო: 7627

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,

სასურველი
LHLC06TB560K

LHLC06TB560K

ნაწილი საფონდო: 7709

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA,

სასურველი
LAL03TA102K

LAL03TA102K

ნაწილი საფონდო: 7648

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,

სასურველი
LHL06NB332J

LHL06NB332J

ნაწილი საფონდო: 7691

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 37mA,

სასურველი
LEM2520T18NK

LEM2520T18NK

ნაწილი საფონდო: 7710

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
LAL03NA220K

LAL03NA220K

ნაწილი საფონდო: 7683

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
LHFP13BB103K

LHFP13BB103K

ნაწილი საფონდო: 7682

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
LAL04TB220K

LAL04TB220K

ნაწილი საფონდო: 7653

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,

სასურველი
LAL04TB3R9K

LAL04TB3R9K

ნაწილი საფონდო: 7718

ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 640mA,

სასურველი
LHLC06NB470K

LHLC06NB470K

ნაწილი საფონდო: 7720

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA,

სასურველი
N08DPB1R0M

N08DPB1R0M

ნაწილი საფონდო: 7695

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,

სასურველი
LAL02VDR47K

LAL02VDR47K

ნაწილი საფონდო: 7693

ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
LHL06NB682J

LHL06NB682J

ნაწილი საფონდო: 7738

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 26mA,

სასურველი
LHLC06NB3R3M

LHLC06NB3R3M

ნაწილი საფონდო: 9990

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
LAL04SK102K

LAL04SK102K

ნაწილი საფონდო: 7677

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
LEM2520TR82K

LEM2520TR82K

ნაწილი საფონდო: 7754

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
LAL04SK391K

LAL04SK391K

ნაწილი საფონდო: 7660

ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 133mA,

სასურველი
LAL04TB1R8M

LAL04TB1R8M

ნაწილი საფონდო: 7675

ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 790mA,

სასურველი
LAL03KH271K

LAL03KH271K

ნაწილი საფონდო: 7647

ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,

სასურველი
LAL03TA821K

LAL03TA821K

ნაწილი საფონდო: 7714

ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,

სასურველი
LAV35VB220K

LAV35VB220K

ნაწილი საფონდო: 9768

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
LAL04SK2R7M

LAL04SK2R7M

ნაწილი საფონდო: 7634

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA,

სასურველი
LAL03TA390K

LAL03TA390K

ნაწილი საფონდო: 7689

ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 115mA,

სასურველი
LAP02TA3R3K

LAP02TA3R3K

ნაწილი საფონდო: 9768

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
LAL04TBR39M

LAL04TBR39M

ნაწილი საფონდო: 7650

ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
LAL02NAR47K

LAL02NAR47K

ნაწილი საფონდო: 7681

ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
N08DPA180K

N08DPA180K

ნაწილი საფონდო: 7742

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A,

სასურველი
LAL03VB121K

LAL03VB121K

ნაწილი საფონდო: 7720

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,

სასურველი