ფიქსირებული ინდუქტორები

LBH1608T6N8D

LBH1608T6N8D

ნაწილი საფონდო: 7753

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
LHL06TB4R7K

LHL06TB4R7K

ნაწილი საფონდო: 7765

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 510mA,

სასურველი
LEM2520T1R2J

LEM2520T1R2J

ნაწილი საფონდო: 7694

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
LAL02VA680K

LAL02VA680K

ნაწილი საფონდო: 7634

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 64mA,

სასურველი
LHLC06TB4R7K

LHLC06TB4R7K

ნაწილი საფონდო: 7755

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LEM2520T560J

LEM2520T560J

ნაწილი საფონდო: 7661

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,

სასურველი
LAL03TA101K

LAL03TA101K

ნაწილი საფონდო: 7656

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,

სასურველი
N08DPB101K

N08DPB101K

ნაწილი საფონდო: 7709

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 820mA,

სასურველი
LAP02KR8R2K

LAP02KR8R2K

ნაწილი საფონდო: 7722

ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 165mA,

სასურველი
LAL04TB151K

LAL04TB151K

ნაწილი საფონდო: 7668

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 175mA,

სასურველი
LHL06TB472J

LHL06TB472J

ნაწილი საფონდო: 7763

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 33mA,

სასურველი
LAL02TBR68K

LAL02TBR68K

ნაწილი საფონდო: 7604

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,

სასურველი
LAV35VB681J

LAV35VB681J

ნაწილი საფონდო: 7726

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 68mA,

სასურველი
NP04SB220M

NP04SB220M

ნაწილი საფონდო: 7574

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 510mA,

სასურველი
LAP02TA180K

LAP02TA180K

ნაწილი საფონდო: 7670

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
LAL03VB271K

LAL03VB271K

ნაწილი საფონდო: 7678

ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,

სასურველი
NRG4026T330M

NRG4026T330M

ნაწილი საფონდო: 176563

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 540mA,

სასურველი
NRG4026T150M

NRG4026T150M

ნაწილი საფონდო: 148608

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,

სასურველი
LK21251R8J-T

LK21251R8J-T

ნაწილი საფონდო: 6184

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
NRG4026T470M

NRG4026T470M

ნაწილი საფონდო: 123741

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 410mA,

სასურველი
NRG4026T6R6M

NRG4026T6R6M

ნაწილი საფონდო: 110859

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
CAL45VB392K

CAL45VB392K

ნაწილი საფონდო: 183129

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA, მიმდინარე - სატურაცია: 95mA,

სასურველი
NRG4026T220M

NRG4026T220M

ნაწილი საფონდო: 188354

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 610mA,

სასურველი
NRG4026T1R2N

NRG4026T1R2N

ნაწილი საფონდო: 159238

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,

სასურველი
NRG4026T100M

NRG4026T100M

ნაწილი საფონდო: 172370

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
NRG4026T4R7M

NRG4026T4R7M

ნაწილი საფონდო: 127451

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.45A,

სასურველი
N06DB220K

N06DB220K

ნაწილი საფონდო: 4913

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
N08DPB100K

N08DPB100K

ნაწილი საფონდო: 4947

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A,

სასურველი
LHLZ06TB221K

LHLZ06TB221K

ნაწილი საფონდო: 4907

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,

სასურველი
NP06DB330M

NP06DB330M

ნაწილი საფონდო: 5020

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,

სასურველი
N08DPB820K

N08DPB820K

ნაწილი საფონდო: 4994

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 940mA,

სასურველი
NP05DB680M

NP05DB680M

ნაწილი საფონდო: 5019

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,

სასურველი
N08DPA100K

N08DPA100K

ნაწილი საფონდო: 4936

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A,

სასურველი
NP06DB331M

NP06DB331M

ნაწილი საფონდო: 5059

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LHLZ06NB150K

LHLZ06NB150K

ნაწილი საფონდო: 4948

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
LHLZ06TB101K

LHLZ06TB101K

ნაწილი საფონდო: 9549

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA,

სასურველი