ფიქსირებული ინდუქტორები

N06DB4R7M

N06DB4R7M

ნაწილი საფონდო: 4928

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A,

სასურველი
N05DB470K

N05DB470K

ნაწილი საფონდო: 9516

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
N08DPA6R8M

N08DPA6R8M

ნაწილი საფონდო: 4989

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A,

სასურველი
N08DPB471K

N08DPB471K

ნაწილი საფონდო: 4967

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,

სასურველი
N08DPB4R7M

N08DPB4R7M

ნაწილი საფონდო: 4968

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A,

სასურველი
N08DPA4R7M

N08DPA4R7M

ნაწილი საფონდო: 4978

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A,

სასურველი
N08DPB391K

N08DPB391K

ნაწილი საფონდო: 5023

ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
NP05DB100M

NP05DB100M

ნაწილი საფონდო: 5030

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
N06DB101K

N06DB101K

ნაწილი საფონდო: 9570

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
N05DB4R7M

N05DB4R7M

ნაწილი საფონდო: 4967

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A,

სასურველი
N08DPB561K

N08DPB561K

ნაწილი საფონდო: 5016

ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
N06DB102J

N06DB102J

ნაწილი საფონდო: 4984

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
N08DPB821K

N08DPB821K

ნაწილი საფონდო: 5026

ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
N06DB681K

N06DB681K

ნაწილი საფონდო: 4983

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
N08DPA561K

N08DPA561K

ნაწილი საფონდო: 4905

ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
NP06DB3R3M

NP06DB3R3M

ნაწილი საფონდო: 5038

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A,

სასურველი
N08DPB271K

N08DPB271K

ნაწილი საფონდო: 5033

ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA,

სასურველი
N08DPA2R2M

N08DPA2R2M

ნაწილი საფონდო: 4959

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A,

სასურველი
NP06DB151M

NP06DB151M

ნაწილი საფონდო: 5051

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA,

სასურველი
NP05DB330M

NP05DB330M

ნაწილი საფონდო: 5040

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
NP04SB330M

NP04SB330M

ნაწილი საფონდო: 9513

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 420mA,

სასურველი
NR4012T4R7N

NR4012T4R7N

ნაწილი საფონდო: 5063

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 960mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,

სასურველი
LHLZ06NB681K

LHLZ06NB681K

ნაწილი საფონდო: 4953

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
NP06DB681M

NP06DB681M

ნაწილი საფონდო: 5028

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
N06DB221K

N06DB221K

ნაწილი საფონდო: 4897

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
LHLZ06TB681K

LHLZ06TB681K

ნაწილი საფონდო: 4972

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
NP06DB100M

NP06DB100M

ნაწილი საფონდო: 4970

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,

სასურველი
N05DB100K

N05DB100K

ნაწილი საფონდო: 4956

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
N06DB150K

N06DB150K

ნაწილი საფონდო: 4944

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
NP06DB6R8M

NP06DB6R8M

ნაწილი საფონდო: 5001

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A,

სასურველი
N06DB1R0M

N06DB1R0M

ნაწილი საფონდო: 4969

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.9A,

სასურველი
NP05DB2R2M

NP05DB2R2M

ნაწილი საფონდო: 4983

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A,

სასურველი
NP04SB6R8N

NP04SB6R8N

ნაწილი საფონდო: 9504

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,

სასურველი
N08DPB102J

N08DPB102J

ნაწილი საფონდო: 4939

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
LHLZ06TB6R8M

LHLZ06TB6R8M

ნაწილი საფონდო: 4969

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A,

სასურველი
N08DPB2R2M

N08DPB2R2M

ნაწილი საფონდო: 5016

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A,

სასურველი