ფიქსირებული ინდუქტორები

LHLC06TB120K

LHLC06TB120K

ნაწილი საფონდო: 4917

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A,

სასურველი
LAL04NA560K

LAL04NA560K

ნაწილი საფონდო: 4620

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LEMF2520T100K

LEMF2520T100K

ნაწილი საფონდო: 4861

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 155mA,

სასურველი
LAV35VB100K

LAV35VB100K

ნაწილი საფონდო: 4742

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA,

სასურველი
LBH1608T39NJ

LBH1608T39NJ

ნაწილი საფონდო: 9550

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LAL03NA101K

LAL03NA101K

ნაწილი საფონდო: 4443

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,

სასურველი
LAL04SK820K

LAL04SK820K

ნაწილი საფონდო: 4603

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
LAL03TBR82M

LAL03TBR82M

ნაწილი საფონდო: 4532

ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
LAL04SK270K

LAL04SK270K

ნაწილი საფონდო: 4639

ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,

სასურველი
LAP02TAR56K

LAP02TAR56K

ნაწილი საფონდო: 4729

ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LAL04NAR68M

LAL04NAR68M

ნაწილი საფონდო: 4595

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.03A,

სასურველი
LEM2520TR56J

LEM2520TR56J

ნაწილი საფონდო: 4783

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 325mA,

სასურველი
LHL06NB221K

LHL06NB221K

ნაწილი საფონდო: 4893

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
LAL04KB5R6K

LAL04KB5R6K

ნაწილი საფონდო: 9967

ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA,

სასურველი
LAP02KR820K

LAP02KR820K

ნაწილი საფონდო: 4749

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 46mA,

სასურველი
LAL04TB681K

LAL04TB681K

ნაწილი საფონდო: 4631

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 113mA,

სასურველი
LAL04NA5R6K

LAL04NA5R6K

ნაწილი საფონდო: 4643

ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA,

სასურველი
LAP02TA470K

LAP02TA470K

ნაწილი საფონდო: 4724

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
LAL04TB3R3K

LAL04TB3R3K

ნაწილი საფონდო: 4701

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 670mA,

სასურველი
LAL03TA180K

LAL03TA180K

ნაწილი საფონდო: 4443

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
LAL03KHR22M

LAL03KHR22M

ნაწილი საფონდო: 4453

ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
LAN02KRR15K

LAN02KRR15K

ნაწილი საფონდო: 9468

ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
LAL03TB102J

LAL03TB102J

ნაწილი საფონდო: 4501

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,

სასურველი
LAN02TAR22K

LAN02TAR22K

ნაწილი საფონდო: 9521

ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 730mA,

სასურველი
LAP02KR390K

LAP02KR390K

ნაწილი საფონდო: 4717

ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 74mA,

სასურველი
LBH1608T4N7D

LBH1608T4N7D

ნაწილი საფონდო: 4801

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
LAN02TA1R2J

LAN02TA1R2J

ნაწილი საფონდო: 9473

ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA,

სასურველი
LAL04SKR33M

LAL04SKR33M

ნაწილი საფონდო: 9485

ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.28A,

სასურველი
LAL04KBR22M

LAL04KBR22M

ნაწილი საფონდო: 4631

ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LAN02TA100J

LAN02TA100J

ნაწილი საფონდო: 4701

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,

სასურველი
LEM2520T5R6J

LEM2520T5R6J

ნაწილი საფონდო: 4826

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,

სასურველი
LHL16NB222J

LHL16NB222J

ნაწილი საფონდო: 4868

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
LAL03TB1R5M

LAL03TB1R5M

ნაწილი საფონდო: 4534

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAL04KB150K

LAL04KB150K

ნაწილი საფონდო: 4612

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA,

სასურველი
LAL03TAR68M

LAL03TAR68M

ნაწილი საფონდო: 4522

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,

სასურველი
LAL03VBR33M

LAL03VBR33M

ნაწილი საფონდო: 9484

ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,

სასურველი