ფიქსირებული ინდუქტორები

LAL04NA220K

LAL04NA220K

ნაწილი საფონდო: 4674

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,

სასურველი
LAN02KR470J

LAN02KR470J

ნაწილი საფონდო: 4643

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
LHF15BB681K

LHF15BB681K

ნაწილი საფონდო: 4844

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
LAP02TA2R2K

LAP02TA2R2K

ნაწილი საფონდო: 4774

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
LAP02KR151K

LAP02KR151K

ნაწილი საფონდო: 4758

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 39mA,

სასურველი
LAL03NA181K

LAL03NA181K

ნაწილი საფონდო: 4419

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
LAV35VB330K

LAV35VB330K

ნაწილი საფონდო: 9484

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 235mA,

სასურველი
LAL04SK120K

LAL04SK120K

ნაწილი საფონდო: 4681

ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA,

სასურველი
LAL03KHR82M

LAL03KHR82M

ნაწილი საფონდო: 9535

ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
LAP02TA820K

LAP02TA820K

ნაწილი საფონდო: 9498

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 46mA,

სასურველი
LAP02TA220K

LAP02TA220K

ნაწილი საფონდო: 4747

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
LEMC2520T100K

LEMC2520T100K

ნაწილი საფონდო: 4826

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
LAL04TB330K

LAL04TB330K

ნაწილი საფონდო: 4625

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,

სასურველი
LAL03VBR47M

LAL03VBR47M

ნაწილი საფონდო: 4608

ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
LHL16TB103J

LHL16TB103J

ნაწილი საფონდო: 4946

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAL04SKR56M

LAL04SKR56M

ნაწილი საფონდო: 4645

ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
LAP02TA270K

LAP02TA270K

ნაწილი საფონდო: 4689

ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
LHF15BB331K

LHF15BB331K

ნაწილი საფონდო: 4846

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
LAP02KR3R3K

LAP02KR3R3K

ნაწილი საფონდო: 4724

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
LHL06TB150K

LHL06TB150K

ნაწილი საფონდო: 4863

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
LAL03TA561K

LAL03TA561K

ნაწილი საფონდო: 4483

ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
LAL04NA391K

LAL04NA391K

ნაწილი საფონდო: 4630

ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 133mA,

სასურველი
LAL04TB1R0M

LAL04TB1R0M

ნაწილი საფონდო: 9470

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 920mA,

სასურველი
LBH1608T3N9D

LBH1608T3N9D

ნაწილი საფონდო: 4756

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
LEMC2520T6R8M

LEMC2520T6R8M

ნაწილი საფონდო: 4848

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 275mA,

სასურველი
LAN02KRR12K

LAN02KRR12K

ნაწილი საფონდო: 4690

ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,

სასურველი
LHL06TB271K

LHL06TB271K

ნაწილი საფონდო: 4826

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
LAL03KH4R7K

LAL03KH4R7K

ნაწილი საფონდო: 4445

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,

სასურველი
LAL03TB120K

LAL03TB120K

ნაწილი საფონდო: 4430

ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
LAN02TA101J

LAN02TA101J

ნაწილი საფონდო: 4710

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
LAN02TA1R8J

LAN02TA1R8J

ნაწილი საფონდო: 4721

ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,

სასურველი
LAL03TB560K

LAL03TB560K

ნაწილი საფონდო: 4527

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,

სასურველი
LAL03TA3R3K

LAL03TA3R3K

ნაწილი საფონდო: 4472

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
LBH1608TR10J

LBH1608TR10J

ნაწილი საფონდო: 4745

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
LEM2520TR47K

LEM2520TR47K

ნაწილი საფონდო: 4811

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LAL03NA561K

LAL03NA561K

ნაწილი საფონდო: 4471

ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი