ფიქსირებული ინდუქტორები

LAL03VBR56M

LAL03VBR56M

ნაწილი საფონდო: 4619

ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LAV35VBR39M

LAV35VBR39M

ნაწილი საფონდო: 4807

ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 940mA,

სასურველი
LAP02TA121K

LAP02TA121K

ნაწილი საფონდო: 4758

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 42mA,

სასურველი
LAL04SK1R5M

LAL04SK1R5M

ნაწილი საფონდო: 4668

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 830mA,

სასურველი
LAL03NAR39M

LAL03NAR39M

ნაწილი საფონდო: 4453

ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LAL03T102K

LAL03T102K

ნაწილი საფონდო: 4425

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,

სასურველი
LAL03TB150K

LAL03TB150K

ნაწილი საფონდო: 4495

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 145mA,

სასურველი
LAL04TB821K

LAL04TB821K

ნაწილი საფონდო: 4642

ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,

სასურველი
LAL04TB820K

LAL04TB820K

ნაწილი საფონდო: 4661

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
LAL04TBR82M

LAL04TBR82M

ნაწილი საფონდო: 4712

ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 980mA,

სასურველი
LAN02KR560J

LAN02KR560J

ნაწილი საფონდო: 4689

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
LAL04SK470K

LAL04SK470K

ნაწილი საფონდო: 4622

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,

სასურველი
LAP02KR6R8K

LAP02KR6R8K

ნაწილი საფონდო: 4686

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 175mA,

სასურველი
LEMF2520T220K

LEMF2520T220K

ნაწილი საფონდო: 4817

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,

სასურველი
LAL03NAR68M

LAL03NAR68M

ნაწილი საფონდო: 4504

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,

სასურველი
LAL04SKR68M

LAL04SKR68M

ნაწილი საფონდო: 4639

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.03A,

სასურველი
LAL03VB1R5M

LAL03VB1R5M

ნაწილი საფონდო: 4491

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAL03TA681K

LAL03TA681K

ნაწილი საფონდო: 4472

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 45mA,

სასურველი
LAL04TB100K

LAL04TB100K

ნაწილი საფონდო: 4643

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
LAL03KH470K

LAL03KH470K

ნაწილი საფონდო: 4397

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,

სასურველი
LAP02KR1R0K

LAP02KR1R0K

ნაწილი საფონდო: 4727

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
LEMC2520T220K

LEMC2520T220K

ნაწილი საფონდო: 4846

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
LHL06NB151K

LHL06NB151K

ნაწილი საფონდო: 4882

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,

სასურველი
LAV35VB8R2K

LAV35VB8R2K

ნაწილი საფონდო: 4750

ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA,

სასურველი
LHL06NB181K

LHL06NB181K

ნაწილი საფონდო: 4889

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 165mA,

სასურველი
LHLC06TB101K

LHLC06TB101K

ნაწილი საფონდო: 4948

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA,

სასურველი
LHL06TB1R8M

LHL06TB1R8M

ნაწილი საფონდო: 4877

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,

სასურველი
LHL06TB3R3M

LHL06TB3R3M

ნაწილი საფონდო: 4881

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA,

სასურველი
LHL06TB182J

LHL06TB182J

ნაწილი საფონდო: 4815

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.8mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 51mA,

სასურველი
LAL03NA470K

LAL03NA470K

ნაწილი საფონდო: 4487

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,

სასურველი
LHF15BB151K

LHF15BB151K

ნაწილი საფონდო: 9555

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A,

სასურველი
LAN02TAR56K

LAN02TAR56K

ნაწილი საფონდო: 4725

ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,

სასურველი
LAP02KR221K

LAP02KR221K

ნაწილი საფონდო: 4680

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი
LHF15BB821K

LHF15BB821K

ნაწილი საფონდო: 4862

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
LAL04KB391K

LAL04KB391K

ნაწილი საფონდო: 4622

ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 133mA,

სასურველი
LAL04NA330K

LAL04NA330K

ნაწილი საფონდო: 4604

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,

სასურველი