ფიქსირებული ინდუქტორები

LAV35VB5R6K

LAV35VB5R6K

ნაწილი საფონდო: 4748

ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA,

სასურველი
LEM2520T8R2J

LEM2520T8R2J

ნაწილი საფონდო: 4833

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
LAN02TA271J

LAN02TA271J

ნაწილი საფონდო: 4721

ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
LHL06TB152J

LHL06TB152J

ნაწილი საფონდო: 4849

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 54mA,

სასურველი
LAL04NA331K

LAL04NA331K

ნაწილი საფონდო: 4599

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 137mA,

სასურველი
LAL04KB681K

LAL04KB681K

ნაწილი საფონდო: 4550

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 113mA,

სასურველი
LAL04SK1R2M

LAL04SK1R2M

ნაწილი საფონდო: 4624

ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 880mA,

სასურველი
LEMF2520T101K

LEMF2520T101K

ნაწილი საფონდო: 4793

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,

სასურველი
LAL04NA4R7K

LAL04NA4R7K

ნაწილი საფონდო: 4668

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,

სასურველი
LAL04KB8R2K

LAL04KB8R2K

ნაწილი საფონდო: 9485

ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA,

სასურველი
LAN02TA3R3J

LAN02TA3R3J

ნაწილი საფონდო: 4665

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,

სასურველი
LAL03TB1R2M

LAL03TB1R2M

ნაწილი საფონდო: 4517

ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
LAP02KRR56K

LAP02KRR56K

ნაწილი საფონდო: 4694

ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LEM2520T680J

LEM2520T680J

ნაწილი საფონდო: 9990

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
LAV35VB820K

LAV35VB820K

ნაწილი საფონდო: 4821

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 155mA,

სასურველი
LAL04SK271K

LAL04SK271K

ნაწილი საფონდო: 4682

ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 145mA,

სასურველი
LAL04TB2R7M

LAL04TB2R7M

ნაწილი საფონდო: 4619

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA,

სასურველი
LAL03TAR27M

LAL03TAR27M

ნაწილი საფონდო: 4462

ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
LAL04TB102K

LAL04TB102K

ნაწილი საფონდო: 4604

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
LEM2520T33NK

LEM2520T33NK

ნაწილი საფონდო: 4820

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
LHL06TB102J

LHL06TB102J

ნაწილი საფონდო: 4818

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,

სასურველი
LAL04KB180K

LAL04KB180K

ნაწილი საფონდო: 4565

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,

სასურველი
LAL04SK1R8M

LAL04SK1R8M

ნაწილი საფონდო: 9506

ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 790mA,

სასურველი
LAL03KH100K

LAL03KH100K

ნაწილი საფონდო: 4373

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
LHF15BB561K

LHF15BB561K

ნაწილი საფონდო: 4808

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
LAL03TB2R2M

LAL03TB2R2M

ნაწილი საფონდო: 4458

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
LAP02TA1R8K

LAP02TA1R8K

ნაწილი საფონდო: 4717

ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
LAP02TAR33K

LAP02TAR33K

ნაწილი საფონდო: 4806

ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,

სასურველი
LHL06NB2R2M

LHL06NB2R2M

ნაწილი საფონდო: 4819

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 610mA,

სასურველი
LAP02TA2R7K

LAP02TA2R7K

ნაწილი საფონდო: 4737

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
LAL04NA1R0M

LAL04NA1R0M

ნაწილი საფონდო: 4577

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 920mA,

სასურველი
LAL04SK680K

LAL04SK680K

ნაწილი საფონდო: 4659

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 305mA,

სასურველი
LAP02KR1R2K

LAP02KR1R2K

ნაწილი საფონდო: 9516

ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
LHLC06NB820K

LHLC06NB820K

ნაწილი საფონდო: 4942

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA,

სასურველი
LEM2520TR15K

LEM2520TR15K

ნაწილი საფონდო: 4841

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA,

სასურველი
LAL03KH101K

LAL03KH101K

ნაწილი საფონდო: 4396

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,

სასურველი