ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.65A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 16nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 20nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 30nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 16nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 24nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
