ფიქსირებული ინდუქტორები

HKQ04023N5S-E

HKQ04023N5S-E

ნაწილი საფონდო: 9214

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
HKQ04026N2J-E

HKQ04026N2J-E

ნაწილი საფონდო: 9268

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
HKQ040247NH-E

HKQ040247NH-E

ნაწილი საფონდო: 9251

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
HKQ04021N3B-E

HKQ04021N3B-E

ნაწილი საფონდო: 9189

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,

სასურველი
HKQ04022N3S-E

HKQ04022N3S-E

ნაწილი საფონდო: 9245

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
HK040210NJ-T

HK040210NJ-T

ნაწილი საფონდო: 9166

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
HKQ04023N1S-E

HKQ04023N1S-E

ნაწილი საფონდო: 9250

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
HK04023N9S-T

HK04023N9S-T

ნაწილი საფონდო: 9175

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
HKQ04023N7B-E

HKQ04023N7B-E

ნაწილი საფონდო: 9237

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
HKQ04023N7C-E

HKQ04023N7C-E

ნაწილი საფონდო: 9261

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
HK04024N7S-T

HK04024N7S-T

ნაწილი საფონდო: 9201

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
HKQ040210NH-E

HKQ040210NH-E

ნაწილი საფონდო: 9161

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
HKQ04024N7S-E

HKQ04024N7S-E

ნაწილი საფონდო: 9199

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
HKQ04023N1B-E

HKQ04023N1B-E

ნაწილი საფონდო: 9181

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
HKQ040239NH-E

HKQ040239NH-E

ნაწილი საფონდო: 9214

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
HKQ04028N2J-E

HKQ04028N2J-E

ნაწილი საფონდო: 9223

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
HKQ04022N5C-E

HKQ04022N5C-E

ნაწილი საფონდო: 9162

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
HKQ04022N2S-E

HKQ04022N2S-E

ნაწილი საფონდო: 9167

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
HKQ04022N6S-E

HKQ04022N6S-E

ნაწილი საფონდო: 9170

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
HKQ04020N9C-E

HKQ04020N9C-E

ნაწილი საფონდო: 10006

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,

სასურველი
HKQ040222NH-E

HKQ040222NH-E

ნაწილი საფონდო: 9186

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
HKQ04023N5B-E

HKQ04023N5B-E

ნაწილი საფონდო: 9218

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
HKQ04021N2B-E

HKQ04021N2B-E

ნაწილი საფონდო: 9146

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,

სასურველი
HKQ04025N1J-E

HKQ04025N1J-E

ნაწილი საფონდო: 9247

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,

სასურველი
HKQ04023N1C-E

HKQ04023N1C-E

ნაწილი საფონდო: 9246

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
HKQ040215NH-E

HKQ040215NH-E

ნაწილი საფონდო: 9200

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
HKQ04022N5B-E

HKQ04022N5B-E

ნაწილი საფონდო: 9238

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
HKQ04022N0B-E

HKQ04022N0B-E

ნაწილი საფონდო: 9188

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
HKQ04022N2B-E

HKQ04022N2B-E

ნაწილი საფონდო: 9218

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
HKQ04021N8B-E

HKQ04021N8B-E

ნაწილი საფონდო: 9222

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
HKQ04023N9C-E

HKQ04023N9C-E

ნაწილი საფონდო: 9213

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
HKQ04022N6B-E

HKQ04022N6B-E

ნაწილი საფონდო: 9161

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
HKQ04025N6H-E

HKQ04025N6H-E

ნაწილი საფონდო: 9197

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,

სასურველი
HKQ04021N2C-E

HKQ04021N2C-E

ნაწილი საფონდო: 9139

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,

სასურველი
HK04025N6S-T

HK04025N6S-T

ნაწილი საფონდო: 9178

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
HKQ04023N6S-E

HKQ04023N6S-E

ნაწილი საფონდო: 9211

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი