ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA, მიმდინარე - სატურაცია: 470mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.45A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA, მიმდინარე - სატურაცია: 330mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA, მიმდინარე - სატურაცია: 470mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA, მიმდინარე - სატურაცია: 270mA,
ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 125mA,
ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA,
ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 125mA,
ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,
ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,
ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 125mA,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.25A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.25A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,
