ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA, მიმდინარე - სატურაცია: 130mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA, მიმდინარე - სატურაცია: 320mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA, მიმდინარე - სატურაცია: 490mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 45mA, მიმდინარე - სატურაცია: 65mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.9A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 16nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.4A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA, მიმდინარე - სატურაცია: 250mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA, მიმდინარე - სატურაცია: 620mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA, მიმდინარე - სატურაცია: 270mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
