დიოდები - ზენერი - სინგლი

BZT52B7V5-G RHG

BZT52B7V5-G RHG

ნაწილი საფონდო: 200

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C10K RKG

BZT52C10K RKG

ნაწილი საფონდო: 189

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 7V,

სასურველი
BZT52B30S RRG

BZT52B30S RRG

ნაწილი საფონდო: 262

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 30V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 21V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C6V2 RFG

BZX84C6V2 RFG

ნაწილი საფონდო: 191

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C16 RHG

BZT52C16 RHG

ნაწილი საფონდო: 215

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 11.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B6V8 RHG

BZT52B6V8 RHG

ნაწილი საფონდო: 178

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1.8µA @ 4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B51S RRG

BZT52B51S RRG

ნაწილი საფონდო: 169

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 51V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 180 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 35.7V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C75S RRG

BZT52C75S RRG

ნაწილი საფონდო: 261

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 75V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 255 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 52.5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX584B9V1 RSG

BZX584B9V1 RSG

ნაწილი საფონდო: 212

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C56K RKG

BZT52C56K RKG

ნაწილი საფონდო: 211

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 56V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 200 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 43V,

სასურველი
BZT52B43-G RHG

BZT52B43-G RHG

ნაწილი საფონდო: 175

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 43V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 130 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 29.4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C36 RHG

BZT52C36 RHG

ნაწილი საფონდო: 228

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 36V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 25.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B27-G RHG

BZT52B27-G RHG

ნაწილი საფონდო: 203

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 18.9V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B24 RHG

BZT52B24 RHG

ნაწილი საფონდო: 198

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 70 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 16.8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C5V6S RRG

BZT52C5V6S RRG

ნაწილი საფონდო: 266

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 900nA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C5V1K RKG

BZT52C5V1K RKG

ნაწილი საფონდო: 181

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 1.5V,

სასურველი
BZT52B13S RRG

BZT52B13S RRG

ნაწილი საფონდო: 169

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 13V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 90nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B4V3 RHG

BZT52B4V3 RHG

ნაწილი საფონდო: 207

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C22S RRG

BZT52C22S RRG

ნაწილი საფონდო: 189

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 15.4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C39 RFG

BZX84C39 RFG

ნაწილი საფონდო: 187

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 39V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 130 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 27.3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B3V6S RRG

BZT52B3V6S RRG

ნაწილი საფონდო: 230

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 4.5µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C12-G RHG

BZT52C12-G RHG

ნაწილი საფონდო: 180

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 12V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 25 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C33S RRG

BZT52C33S RRG

ნაწილი საფონდო: 266

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 23V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C33 RFG

BZX84C33 RFG

ნაწილი საფონდო: 219

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 23.1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX84C3V9 RFG

BZX84C3V9 RFG

ნაწილი საფონდო: 223

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B16S RRG

BZT52B16S RRG

ნაწილი საფონდო: 180

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 11.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B5V1-G RHG

BZT52B5V1-G RHG

ნაწილი საფონდო: 175

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B27S RRG

BZT52B27S RRG

ნაწილი საფონდო: 178

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 18.9V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C43S RRG

BZT52C43S RRG

ნაწილი საფონდო: 259

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 43V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 150 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 30.1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B15-G RHG

BZT52B15-G RHG

ნაწილი საფონდო: 214

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 15V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 10.5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C24-G RHG

BZT52C24-G RHG

ნაწილი საფონდო: 183

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 70 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 16.8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C27-G RHG

BZT52C27-G RHG

ნაწილი საფონდო: 198

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 18.9V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B43S RRG

BZT52B43S RRG

ნაწილი საფონდო: 167

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 43V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 150 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 30.1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C4V7 RHG

BZT52C4V7 RHG

ნაწილი საფონდო: 174

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C3V9 RHG

BZT52C3V9 RHG

ნაწილი საფონდო: 205

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C2V7 RHG

BZT52C2V7 RHG

ნაწილი საფონდო: 185

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 18µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი