დიოდები - ზენერი - სინგლი

BZT52B3V0S RRG

BZT52B3V0S RRG

ნაწილი საფონდო: 227

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 9µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C3V0K RKG

BZT52C3V0K RKG

ნაწილი საფონდო: 204

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 50µA @ 1V,

სასურველი
BZT52B68S RRG

BZT52B68S RRG

ნაწილი საფონდო: 195

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 68V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 240 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 47.6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C15-G RHG

BZT52C15-G RHG

ნაწილი საფონდო: 183

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 15V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 10.5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B8V2-G RHG

BZT52B8V2-G RHG

ნაწილი საფონდო: 252

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 700nA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C11S RRG

BZT52C11S RRG

ნაწილი საფონდო: 255

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 90nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C30 RFG

BZX84C30 RFG

ნაწილი საფონდო: 250

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 30V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 21V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B12S RRG

BZT52B12S RRG

ნაწილი საფონდო: 216

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 12V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 25 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 90nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C6V2S RRG

BZT52C6V2S RRG

ნაწილი საფონდო: 183

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C4V3 RFG

BZX84C4V3 RFG

ნაწილი საფონდო: 222

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX84C10 RFG

BZX84C10 RFG

ნაწილი საფონდო: 205

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 7V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B3V3S RRG

BZT52B3V3S RRG

ნაწილი საფონდო: 173

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 4.5µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B4V3S RRG

BZT52B4V3S RRG

ნაწილი საფონდო: 247

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B30-G RHG

BZT52B30-G RHG

ნაწილი საფონდო: 253

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 30V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 21V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C4V7K RKG

BZT52C4V7K RKG

ნაწილი საფონდო: 264

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 1V,

სასურველი
BZT52B9V1 RHG

BZT52B9V1 RHG

ნაწილი საფონდო: 173

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 450nA @ 6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C12K RKG

BZT52C12K RKG

ნაწილი საფონდო: 229

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 12V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 25 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 9V,

სასურველი
BZT52B8V2 RHG

BZT52B8V2 RHG

ნაწილი საფონდო: 169

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 630nA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B2V7-G RHG

BZT52B2V7-G RHG

ნაწილი საფონდო: 229

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 20µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX84C6V8 RFG

BZX84C6V8 RFG

ნაწილი საფონდო: 255

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B24-G RHG

BZT52B24-G RHG

ნაწილი საფონდო: 250

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 70 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 16.8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B18-G RHG

BZT52B18-G RHG

ნაწილი საფონდო: 206

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 18V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 45 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 12.6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C18-G RHG

BZT52C18-G RHG

ნაწილი საფონდო: 236

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 18V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 45 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 12.6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C7V5-G RHG

BZT52C7V5-G RHG

ნაწილი საფონდო: 227

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C33 RHG

BZT52C33 RHG

ნაწილი საფონდო: 185

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 23V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B9V1-G RHG

BZT52B9V1-G RHG

ნაწილი საფონდო: 174

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX584B7V5 RSG

BZX584B7V5 RSG

ნაწილი საფონდო: 256

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX84C12 RFG

BZX84C12 RFG

ნაწილი საფონდო: 208

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 12V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 25 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C68S RRG

BZT52C68S RRG

ნაწილი საფონდო: 266

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 68V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 240 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 47.6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C6V8-G RHG

BZT52C6V8-G RHG

ნაწილი საფონდო: 217

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C10S RRG

BZT52C10S RRG

ნაწილი საფონდო: 205

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 180nA @ 7V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B20S RRG

BZT52B20S RRG

ნაწილი საფონდო: 174

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 20V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 14V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C51K RKG

BZT52C51K RKG

ნაწილი საფონდო: 247

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 51V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 180 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 39V,

სასურველი
BZT52C30-G RHG

BZT52C30-G RHG

ნაწილი საფონდო: 172

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 30V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 21V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C4V3-G RHG

BZT52C4V3-G RHG

ნაწილი საფონდო: 257

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B16 RHG

BZT52B16 RHG

ნაწილი საფონდო: 227

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 11.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი