დიოდები - ზენერი - სინგლი

BZT52C33K RKG

BZT52C33K RKG

ნაწილი საფონდო: 223

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 25V,

სასურველი
BZT52C10-G RHG

BZT52C10-G RHG

ნაწილი საფონდო: 182

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 7V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C2V4 RHG

BZT52C2V4 RHG

ნაწილი საფონდო: 211

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B47 RHG

BZT52B47 RHG

ნაწილი საფონდო: 223

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 47V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 170 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 33V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C20K RKG

BZT52C20K RKG

ნაწილი საფონდო: 233

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 20V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 15V,

სასურველი
BZT52B3V0 RHG

BZT52B3V0 RHG

ნაწილი საფონდო: 245

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 9µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C9V1K RKG

BZT52C9V1K RKG

ნაწილი საფონდო: 226

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 6V,

სასურველი
BZT52C6V2K RKG

BZT52C6V2K RKG

ნაწილი საფონდო: 174

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 3V,

სასურველი
BZT52C3V6-G RHG

BZT52C3V6-G RHG

ნაწილი საფონდო: 238

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B39-G RHG

BZT52B39-G RHG

ნაწილი საფონდო: 205

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 39V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 130 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 27.3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C30S RRG

BZT52C30S RRG

ნაწილი საფონდო: 247

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 30V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 21V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C2V4-G RHG

BZT52C2V4-G RHG

ნაწილი საფონდო: 222

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 50µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C18K RKG

BZT52C18K RKG

ნაწილი საფონდო: 208

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 18V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 45 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 13V,

სასურველი
BZT52C22-G RHG

BZT52C22-G RHG

ნაწილი საფონდო: 241

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 15.4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B11-G RHG

BZT52B11-G RHG

ნაწილი საფონდო: 200

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C3V3-G RHG

BZT52C3V3-G RHG

ნაწილი საფონდო: 248

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX84C22 RFG

BZX84C22 RFG

ნაწილი საფონდო: 251

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 15.4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B2V4-G RHG

BZT52B2V4-G RHG

ნაწილი საფონდო: 214

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 50µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C6V8 RHG

BZT52C6V8 RHG

ნაწილი საფონდო: 204

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1.8µA @ 4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C62K RKG

BZT52C62K RKG

ნაწილი საფონდო: 180

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 62V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 215 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 47V,

სასურველი
BZX84C2V7 RFG

BZX84C2V7 RFG

ნაწილი საფონდო: 209

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 20µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B18S RRG

BZT52B18S RRG

ნაწილი საფონდო: 253

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 18V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 45 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 12.6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C8V2K RKG

BZT52C8V2K RKG

ნაწილი საფონდო: 195

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 5V,

სასურველი
BZT52C24K RKG

BZT52C24K RKG

ნაწილი საფონდო: 250

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 70 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 19V,

სასურველი
BZT52B4V7S RRG

BZT52B4V7S RRG

ნაწილი საფონდო: 234

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C6V8K RKG

BZT52C6V8K RKG

ნაწილი საფონდო: 241

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 3.5V,

სასურველი
BZT52B33-G RHG

BZT52B33-G RHG

ნაწილი საფონდო: 216

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 23.1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C39-G RHG

BZT52C39-G RHG

ნაწილი საფონდო: 235

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 39V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 130 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 27.3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B20-G RHG

BZT52B20-G RHG

ნაწილი საფონდო: 249

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 20V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 14V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX84C4V7 RFG

BZX84C4V7 RFG

ნაწილი საფონდო: 263

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B39S RRG

BZT52B39S RRG

ნაწილი საფონდო: 198

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 39V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 130 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 27.3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C13-G RHG

BZT52C13-G RHG

ნაწილი საფონდო: 171

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 13V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C20-G RHG

BZT52C20-G RHG

ნაწილი საფონდო: 233

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 20V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 14V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C5V6-G RHG

BZT52C5V6-G RHG

ნაწილი საფონდო: 186

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B15S RRG

BZT52B15S RRG

ნაწილი საფონდო: 255

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 15V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 10.5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B33S RRG

BZT52B33S RRG

ნაწილი საფონდო: 220

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 23V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი