დიოდები - ზენერი - სინგლი

BZT52C6V2-G RHG

BZT52C6V2-G RHG

ნაწილი საფონდო: 234

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX584B5V1 RSG

BZX584B5V1 RSG

ნაწილი საფონდო: 224

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C39 RHG

BZT52C39 RHG

ნაწილი საფონდო: 252

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 39V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 130 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 27.3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C43K RKG

BZT52C43K RKG

ნაწილი საფონდო: 225

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 43V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 150 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 33V,

სასურველი
BZT52B56S RRG

BZT52B56S RRG

ნაწილი საფონდო: 199

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 56V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 200 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 39.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C15K RKG

BZT52C15K RKG

ნაწილი საფონდო: 256

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 15V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 11V,

სასურველი
BZT52B11 RHG

BZT52B11 RHG

ნაწილი საფონდო: 174

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 90nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B5V6 RHG

BZT52B5V6 RHG

ნაწილი საფონდო: 195

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 900nA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C16 RFG

BZX84C16 RFG

ნაწილი საფონდო: 185

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 11.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C9V1-G RHG

BZT52C9V1-G RHG

ნაწილი საფონდო: 198

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B22-G RHG

BZT52B22-G RHG

ნაწილი საფონდო: 228

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 15.4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C2V7K RKG

BZT52C2V7K RKG

ნაწილი საფონდო: 233

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 120µA @ 1V,

სასურველი
BZT52C5V1-G RHG

BZT52C5V1-G RHG

ნაწილი საფონდო: 196

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C3V9S RRG

BZT52C3V9S RRG

ნაწილი საფონდო: 217

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B6V2-G RHG

BZT52B6V2-G RHG

ნაწილი საფონდო: 169

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B51 RHG

BZT52B51 RHG

ნაწილი საფონდო: 193

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 51V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 180 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 35.7V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C5V1 RHG

BZT52C5V1 RHG

ნაწილი საფონდო: 170

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1.8µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C3V9-G RHG

BZT52C3V9-G RHG

ნაწილი საფონდო: 240

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C22K RKG

BZT52C22K RKG

ნაწილი საფონდო: 246

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 17V,

სასურველი
BZX584B8V2 RSG

BZX584B8V2 RSG

ნაწილი საფონდო: 227

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 700nA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX84C3V3 RFG

BZX84C3V3 RFG

ნაწილი საფონდო: 224

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX84C9V1 RFG

BZX84C9V1 RFG

ნაწილი საფონდო: 254

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C2V7S RRG

BZT52C2V7S RRG

ნაწილი საფონდო: 252

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 18µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C27S RRG

BZT52C27S RRG

ნაწილი საფონდო: 178

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 18.9V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C13K RKG

BZT52C13K RKG

ნაწილი საფონდო: 169

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 13V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 10V,

სასურველი
BZT52C3V0-G RHG

BZT52C3V0-G RHG

ნაწილი საფონდო: 213

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B68 RHG

BZT52B68 RHG

ნაწილი საფონდო: 172

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 68V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 240 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 47.6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B62 RHG

BZT52B62 RHG

ნაწილი საფონდო: 192

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 62V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 215 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 43.4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C2V4 RFG

BZX84C2V4 RFG

ნაწილი საფონდო: 218

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 50µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B6V8S RRG

BZT52B6V8S RRG

ნაწილი საფონდო: 243

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1.8µA @ 4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C8V2S RRG

BZT52C8V2S RRG

ნაწილი საფონდო: 207

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 630nA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B10-G RHG

BZT52B10-G RHG

ნაწილი საფონდო: 232

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 7V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C24S RRG

BZT52C24S RRG

ნაწილი საფონდო: 226

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 70 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 16.8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C5V6 RFG

BZX84C5V6 RFG

ნაწილი საფონდო: 192

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B5V6-G RHG

BZT52B5V6-G RHG

ნაწილი საფონდო: 180

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C3V0 RHG

BZT52C3V0 RHG

ნაწილი საფონდო: 181

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 9µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი