დიოდები - ზენერი - სინგლი

BZV55B6V2 L0G

BZV55B6V2 L0G

ნაწილი საფონდო: 208

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA,

სასურველი
BZT55B9V1 L1G

BZT55B9V1 L1G

ნაწილი საფონდო: 210

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 6.8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZV55C33 L0G

BZV55C33 L0G

ნაწილი საფონდო: 154

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 24V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT55B10 L1G

BZT55B10 L1G

ნაწილი საფონდო: 253

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 7.5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT55B33 L1G

BZT55B33 L1G

ნაწილი საფონდო: 157

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 24V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT55C6V8 L0G

BZT55C6V8 L0G

ნაწილი საფონდო: 225

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 8 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C27 RFG

BZX84C27 RFG

ნაწილი საფონდო: 202

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 18.9V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B2V7S RRG

BZT52B2V7S RRG

ნაწილი საფონდო: 234

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 18µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C62 RHG

BZT52C62 RHG

ნაწილი საფონდო: 224

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 62V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 215 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 43.4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C36 RFG

BZX84C36 RFG

ნაწილი საფონდო: 200

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 36V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 25.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C3V3S RRG

BZT52C3V3S RRG

ნაწილი საფონდო: 238

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 4.5µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C5V1 RFG

BZX84C5V1 RFG

ნაწილი საფონდო: 181

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C16-G RHG

BZT52C16-G RHG

ნაწილი საფონდო: 197

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 11.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B75 RHG

BZT52B75 RHG

ნაწილი საფონდო: 204

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 75V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 255 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 52.5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B36-G RHG

BZT52B36-G RHG

ნაწილი საფონდო: 245

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 36V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 25.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C36S RRG

BZT52C36S RRG

ნაწილი საფონდო: 215

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 36V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 25.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B75S RRG

BZT52B75S RRG

ნაწილი საფონდო: 230

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 75V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 255 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 52.5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C13 RFG

BZX84C13 RFG

ნაწილი საფონდო: 167

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 13V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B10S RRG

BZT52B10S RRG

ნაწილი საფონდო: 254

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 180nA @ 7V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B6V2S RRG

BZT52B6V2S RRG

ნაწილი საფონდო: 190

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C43-G RHG

BZT52C43-G RHG

ნაწილი საფონდო: 222

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 43V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 32V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C7V5S RRG

BZT52C7V5S RRG

ნაწილი საფონდო: 189

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 900nA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C4V7-G RHG

BZT52C4V7-G RHG

ნაწილი საფონდო: 235

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX84C20 RFG

BZX84C20 RFG

ნაწილი საფონდო: 187

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 20V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 14V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C4V7S RRG

BZT52C4V7S RRG

ნაწილი საფონდო: 182

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B5V6S RRG

BZT52B5V6S RRG

ნაწილი საფონდო: 173

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 900nA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B11S RRG

BZT52B11S RRG

ნაწილი საფონდო: 229

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 90nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C68 RHG

BZT52C68 RHG

ნაწილი საფონდო: 192

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 68V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 240 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 47.6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C30K RKG

BZT52C30K RKG

ნაწილი საფონდო: 172

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 30V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 23V,

სასურველი
BZX584B6V8 RSG

BZX584B6V8 RSG

ნაწილი საფონდო: 237

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZX84C3V6 RFG

BZX84C3V6 RFG

ნაწილი საფონდო: 190

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C11-G RHG

BZT52C11-G RHG

ნაწილი საფონდო: 192

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C4V3K RKG

BZT52C4V3K RKG

ნაწილი საფონდო: 243

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1V,

სასურველი
BZT52C56S RRG

BZT52C56S RRG

ნაწილი საფონდო: 230

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 56V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 200 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 39.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B3V9S RRG

BZT52B3V9S RRG

ნაწილი საფონდო: 222

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C11 RHG

BZT52C11 RHG

ნაწილი საფონდო: 191

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 90nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი