დიოდები - ზენერი - სინგლი

BZT52B8V2S RRG

BZT52B8V2S RRG

ნაწილი საფონდო: 179

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 630nA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C11K RKG

BZT52C11K RKG

ნაწილი საფონდო: 228

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 8V,

სასურველი
BZT52C3V9K RKG

BZT52C3V9K RKG

ნაწილი საფონდო: 250

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1V,

სასურველი
BZT52C33-G RHG

BZT52C33-G RHG

ნაწილი საფონდო: 173

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 23.1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C3V6S RRG

BZT52C3V6S RRG

ნაწილი საფონდო: 230

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 4.5µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B36 RHG

BZT52B36 RHG

ნაწილი საფონდო: 260

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 36V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 25.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C36-G RHG

BZT52C36-G RHG

ნაწილი საფონდო: 223

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 36V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 25.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B24S RRG

BZT52B24S RRG

ნაწილი საფონდო: 167

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 70 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 16.8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B4V7 RHG

BZT52B4V7 RHG

ნაწილი საფონდო: 199

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C18 RHG

BZT52C18 RHG

ნაწილი საფონდო: 259

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 18V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 45 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 12.6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B36S RRG

BZT52B36S RRG

ნაწილი საფონდო: 225

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 36V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 25.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B22S RRG

BZT52B22S RRG

ნაწილი საფონდო: 184

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 15.4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C13S RRG

BZT52C13S RRG

ნაწილი საფონდო: 206

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 13V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 90nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C16K RKG

BZT52C16K RKG

ნაწილი საფონდო: 265

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 12V,

სასურველი
BZT52C7V5K RKG

BZT52C7V5K RKG

ნაწილი საფონდო: 192

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 4V,

სასურველი
BZT52C9V1S RRG

BZT52C9V1S RRG

ნაწილი საფონდო: 253

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 450nA @ 6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C2V7-G RHG

BZT52C2V7-G RHG

ნაწილი საფონდო: 259

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 20µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B56 RHG

BZT52B56 RHG

ნაწილი საფონდო: 252

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 56V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 200 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 39.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B13-G RHG

BZT52B13-G RHG

ნაწილი საფონდო: 201

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 13V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C3V3 RHG

BZT52C3V3 RHG

ნაწილი საფონდო: 264

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 4.5µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C47K RKG

BZT52C47K RKG

ნაწილი საფონდო: 226

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 47V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 170 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 36V,

სასურველი
BZT52C27K RKG

BZT52C27K RKG

ნაწილი საფონდო: 215

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 21V,

სასურველი
BZT52C22 RHG

BZT52C22 RHG

ნაწილი საფონდო: 205

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 15.4V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C24 RHG

BZT52C24 RHG

ნაწილი საფონდო: 211

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 70 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 16.8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B12-G RHG

BZT52B12-G RHG

ნაწილი საფონდო: 190

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 12V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 410mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 25 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52C3V3K RKG

BZT52C3V3K RKG

ნაწილი საფონდო: 256

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 20µA @ 1V,

სასურველი
BZT52C13 RHG

BZT52C13 RHG

ნაწილი საფონდო: 182

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 13V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 90nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C56 RHG

BZT52C56 RHG

ნაწილი საფონდო: 180

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 56V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 200 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 39.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C4V3S RRG

BZT52C4V3S RRG

ნაწილი საფონდო: 194

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C24 RFG

BZX84C24 RFG

ნაწილი საფონდო: 227

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 70 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 16.8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B20 RHG

BZT52B20 RHG

ნაწილი საფონდო: 213

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 20V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 14V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B5V1S RRG

BZT52B5V1S RRG

ნაწილი საფონდო: 251

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1.8µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C20 RHG

BZT52C20 RHG

ნაწილი საფონდო: 179

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 20V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 14V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C8V2-G RHG

BZT52C8V2-G RHG

ნაწილი საფონდო: 221

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 350mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 700nA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
BZT52B2V7 RHG

BZT52B2V7 RHG

ნაწილი საფონდო: 215

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 18µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZX84C8V2 RFG

BZX84C8V2 RFG

ნაწილი საფონდო: 265

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 300mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 700nA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი